岡本工作機械製作所_半導体関連製造装置総合カタログ

Grinding グラインディング Polishing ポリッシング 半導体デバイスの高機能化に伴い 多層配線された金属膜や絶縁膜の超高精度研磨が必要とされています。この難解な平坦化技 200mmバックグラインダー 300/200mmウエーハグラインダー 術に応えるべく開発されたのが、岡本工作機械のCMP装置です。本装置は原子スケールでのポリッシングメカニズムの解析を基 GNX200B GNX312/212 に開発された高スループット、高信頼性、低コストを兼ね備えた装置です。 当社独自のダウンフィード＋インデックストランスファー機構を採 当社独自のインデックストランスファー機構を採用した超高精度 用し、ウエーハ破損率ゼロを目指す 高精度、高能率研削を200mm 高生産ウエーハグラインダー。 CMP-ケミカル・メカニカル・ポリッシング- ウエーハで実現。 SPP600S/800S 仕様項目 単位 GNX312/212 仕様項目 単位 GNX200B GNX312：1650×3450×1943 装置寸法（W×D×H） mm 1350×2515×1841 装置寸法（W×D×H） mm 多彩なソフトを備えた研究開発向けマニュアルCMPのベスト GNX212：1400×3078×1858 セラー。 同時処理枚数 － 5 加工物 － Siウエーハ 加工物 － Siウエーハ 加工物の大きさ inch φ4"～12" 加工物の大きさ mm φ200 仕様項目 単位 SPP600S/800S SPP600S：1380×1110×1873 装置寸法（W×D×H） mm SPP800S：1755×1200×2086 同時処理枚数 － 2 加工物 － Siウエーハ、電子部品、脆性材料 SPP600S：φ200 加工物の大きさ mm SPP800S：φ300 極薄厚ウエーハ対応バックグラインダー ポリッシュ仕様 超精密グラインダー GNX200BP VG202MKII 研削機能と研磨機能を兼ね備え、ウエーハ強度の大幅向上を実現し SOI及び積層ウエーハ専用グラインダー。膜厚制御機能を搭載。 た複合システム。高能率＋高精度を高い次元で達成。 ファイナル ポリッシャー 仕様項目 単位 VG202MKII PNX332B/312 仕様項目 単位 GNX200BP 装置寸法（W×D×H） mm 2160×1295×1740 2830×2515×1841 装置寸法（W×D×H） mm 加工物 － 超精密SOIウエーハ エッヂプロファイルと除去量均一性を極限まで高めた300mm （Polisher：1480×1700×1800） 加工物の大きさ mm φ200 ウエーハ用全自動ポリッシャー。 同時処理枚数 － 7 加工物 － Siウエーハ 仕様項目 単位 PNX332B/312 加工物の大きさ mm φ200 PNX332B：2440×3260×2200 装置寸法（W×D×H） mm PNX312 ：3050×2200×2200 PNX332B：10 同時処理枚数 － PNX312 ： 6 加工物 － Siウエーハ 脆性材用グラインダー PNX332B：φ300 加工物の大きさ mm PNX312 ：φ200 VG401/101 難削材料の加工に最適な高剛性グラインダー。超高馬力11kw砥 石軸モーターにも対応（オプション）。 仕様項目 単位 VG401/101 VG401： 910×1456×2007 装置寸法（W×D×H） mm VG101：1300×1230×1733 加工物 － 脆性材料 加工物の大きさ mm ～φ400