MOSFETのカタログ一覧 | Apérza Catalog（アペルザカタログ） | ものづくり産業向けカタログサイト

パワーMOSFET技術資料｜特性・選定・回路設計のポイント解説

高効率・高信頼なMOSFET設計のための技術ガイドライン

本資料は、パワーMOSFETの選定・設計・使用に必要な技術情報を網羅した技術資料です。MOSFETの電気的・熱的特性、スイッチング特性、ゲートチャージ、SOA（安全動作領域）、ア...

新電元工業株式会社

ICE11N70FP　データシート

アイスモス・テクノロジーのICE11N70FP は11A,700VのTO220 Full Pak パッケージです...

【特長】■TO220Full Pakパッケージ■低オン抵抗■超低ゲート電荷重■耐高dv/dt■高いUIS特性■耐高ピーク電流■増相互コンダクタンス・パフォーマンス

アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE8S65FP　データシート

アイスモス・テクノロジーのICE8S65FP は8A,650VのTO220 Full Pak パッケージです。...

アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE47N60W　データシート

『ICE47N60W N-チャンネル・デバイス』は、IceMOSで評判の高いスーパージャンクショ...

高パフォーマンス・パワー・システム用に設計され、世界中のAC/DC、DC/DC、およびDC/AC回路などに使用されています。【特長】■TO247パッケージ■低オン抵抗■超低ゲー...

アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE10N60FP　データシート

電源メーカーに採用実績のある、電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSF...

アイスモス・テクノロジーのICE10N60FP は10A,600VのTO220FullPak パッケージです。【特長】■TO220FPパッケージ■低オン抵抗■超低ゲート電荷重■耐高dv/dt■高いUIS...

アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE10N60　データシート

電源メーカーに採用実績のある、電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSF...

アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE20N60　データシート

アイスモス・テクノロジーのICE20N60 は20A,600VのTO-220 パッケージです。

【特長】■TO220パッケージ■低オン抵抗■超低ゲート電荷重■耐高dv/dt■高いUIS特性■耐高ピーク電流■増相互コンダクタンス・パフォーマンス

アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

【アプリケーションガイド】高耐圧スーパージャンクションMO...

応用事例: ホームアプリケーション

本アプリケーションノートは、Icemos Technology Ltd.が提供する高耐圧 SJMOSFET 製品の電気的特性、各種回路例、データなどを参考資料として電源製品を設計される技術者の皆様...

アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

高耐圧 Super Junction MOSFETs

高耐圧600V以上

◆低オン抵抗◆超低ゲート電荷量◆耐高dv/dt◆高耐アバランシェ特性◆高耐ピーク電流特性◆増相互コンダクタンス特性◆詳細はカタログをダウンロードしご覧いただくか、...

アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

車載UMOS X(100V) MOSFET XK1R9F10QB

業界最高水準の低オン抵抗を実現、機器の低損失化・小型化に貢献

微細トレンチ加工技術を駆使し業界最高水準の低オン抵抗を実現◆ゲートしきい値電圧を2.5V～3.5V設定とし、VGS=6V条件でのオン抵抗を保証◆オン抵抗の温度係数も改善し、機...

マウザー・エレクトロニクス

産業機器・大容量電源向け1200V SiC MOSFET

SiC MOSFETの信頼性を向上させる当社第2世代チップデザインを採用

◆ゲートしきい値電圧を4.2V～5.8Vと高く設定しており誤動作(誤点弧)を低減◆順方向電圧が低いSiCショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵し、電力損失を低減◆応用機器　産...

マウザー・エレクトロニクス

Littelfuse　ディスクリートMOSFET

Littelfuse製MOSFETのご紹介です。

【掲載内容】◆ウルトラジャンクションシリーズMOSFET◆PolarシリーズMOSFET◆トレンチシリーズMOSFET◆高電圧シリーズMOSFET◆PolarQ3シリーズMOSFET◆Linear シリーズMO...

マウザー・エレクトロニクス

マルチMOSFETドライバファミリー

TLE92104-x3xQX, 車載モータ制御アプリケーション用ハーフブリッジドライバー

TLE92104-131QXとTLE92104-232QXは、先日発表したTLE92108に続く、マルチMOSFETドライバICファミリーの新製品です。TLE92104は、1つのデバイスで最大4つのハーフブリッジ (最大8...

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

SuperSO8 (PQFN 5mm x 6mm) パッケージを使用したOptiMOS™5 B...

インフィニオンが新たにリリースした最高クラスのOptiMOS™ 5 80V Power MOSFET（BSC019N08NS5）は、堅牢性の向上に加えて、さらに高い電力密度を実現し、システムコストの削減と性能向上のニーズに応えています。本製品は、通信用電源やサーバー用電源の同期整流用...

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

HybridPACK™ Drive CoolSiC™

車載用SiC-MOSFET 1200V HybridPACKドライブ

HybridPACK™ Driveは、非常にコンパクトな6パックモジュールで、チップ数の異なる1200V/400A（1つのスイッチに8個のチップ）と1200V/200A (1つのスイッチに4個のチップ) の2種...

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

EiceDRIVER™ 2L-SRC Compact (1ED32xx)

2L-SRC Compact (1ED32xx) ファミリーは、2レベルのスルーレート制御により、オンザフライでゲート抵抗を調整できる、コンパクトなシングルチャネル絶縁型ゲートドライバファミリーです。本製品は2ピンを使ったデュアル出力タイプの製品で、シングルあるいはデュアル...

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

EV充電用のEasyPACK™ CoolSiC™ MOSFETパワーモジュールとCool...

Hブリッジトポロジーを使用したEasyPACK™ CoolSiC™ MOSFETとEasyBRIDGE整流器モジュールは、75kWまでのスケーラブルなDC EVチャージャーの設計に最適です。インフィニオンは、Easy 2BパッケージでRDSonが11 mΩおよび15 mΩ、ならびにEasy 1BパッケージでRDSonが23 mΩ...