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車載UMOS X(100V) MOSFET XK1R9F10QB

製品カタログ

業界最高水準の低オン抵抗を実現、機器の低損失化・小型化に貢献

微細トレンチ加工技術を駆使し業界最高水準の低オン抵抗を実現

◆ゲートしきい値電圧を2.5V~3.5V設定とし、VGS=6V条件でのオン抵抗を保証
◆オン抵抗の温度係数も改善し、機器の低損失化・小型化に貢献
◆オン抵抗温度特性:約1.7倍 @Ta=25℃ vs 175℃比
◆第10世代のフィールドプレート構造採用により低ノイズ特性を実現
◆帰還容量と入力容量の比率を低く抑え、セルフターンオンを抑制
◆応用機器
 148Vバッテリー車用モータ、高圧バッテリー用電源、産業機器等

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このカタログについて

ドキュメント名 車載UMOS X(100V) MOSFET XK1R9F10QB
ドキュメント種別 製品カタログ
ファイルサイズ 1Mb
登録カテゴリ
取り扱い企業 マウザー・エレクトロニクス (この企業の取り扱いカタログ一覧)

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このカタログの内容

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XK1R9F10QB 車載UMOS X(100V) MOSFET 業界最高水準(※)の低オン抵抗を実現、機器の低損失化・小型化に貢献 (※当社調べ (21年5月時点) 微細トレンチ加工技術を駆使し業界最高水準(*)の低オン抵抗を実現 (※当社調べ (21年5月時点)  ゲートしきい値電圧を2.5V~3.5V設定とし、VGS=6V条件でのオン抵抗を保証  オン抵抗の温度係数も改善し、機器の低損失化・小型化に貢献  オン抵抗特性:RDS(ON)=1.6mΩtyp..@VGS=10V,Ts=25℃,TO-220SM(W) *D2PAK相当品  オン抵抗温度特性:約1.7倍 @Ta=25℃ vs 175℃比 第10世代のフィールドプレート構造採用により低ノイズ特性を実現 帰還容量と入力容量の比率を低く抑え、セルフターンオンを抑制 応用機器  48Vバッテリー車用モータ、高圧バッテリー用電源、産業機器等 ドレイン・ソース間オン抵抗の低減 注:当社調べ B スイッチングノイズの低減 注:当社調べ Line-up XK1R9F10QB ID(A) 160 RDS(ON)(mΩ) 1.6 *Under development **typ. @VGS=10 V、Ta=25℃ TO-220SM(W)