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エレクトロニクセラミックス

製品カタログ

セラミックス基板をベースに薄膜集積回路を形成

当社はセラミックス基板をベースにした薄膜集積回路のパターン形成をはじめ、成膜、ダイシングに至るまでの一貫した製造設備を備え、各種回路のご要求に応じております。開発・研究に関わる各種回路についても様々なご要望・短納期対応に応じております。

このカタログについて

ドキュメント名 エレクトロニクセラミックス
ドキュメント種別 製品カタログ
ファイルサイズ 702.9Kb
登録カテゴリ
取り扱い企業 日本ファインセラミックス株式会社 (この企業の取り扱いカタログ一覧)

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このカタログの内容

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エレクトロニクセラミックス 特殊加工メタライズ 当社では、セラミックス基板の表裏面の導通を行うために、① スルーホール、② キャスタレーション、③ サイドパターンの 技術を保有しています。これらの技術を合わせて、お客様の様々なご要求にお応えします。 セラミックス基板 ① スルーホール ② キャスタレーション レーザー加工法により開孔し、孔の内壁をメタライズすること スルーホール加工を利用して形成した半円などの加工面を残 により、基板の表裏面の導通をとります。 すキャスタレーションは、基板の表裏パターンの導通方法の1 当社は、高周波帯域でも誘電損失が小さく、緻密で曲げ強度の高い高品位アルミナ基板のほか、曲がる 仕 様 スルーホール径:φ0.1 ~ 4±0.05mm つとして、スルーホールと共に多様な仕様のご要求にお応え 位置精度:±0.02mm セラミックスとして利用されているセラフレックス®-A、酸素イオン導電性に優れたセラフレックス®-8Yします。 を当社独自技術で生産しております。 電極 スルーホール キャスタレーション 電極 ※ スルーホールのピッチは直径の3倍以上離れていること。 この他、角穴、溝などのご相談にもお応えします。 ③ サイドパターン 基板の端面に電極パターンを形成することにより、基板の側面も電極として使用できます。主に光通信関連に使用されています。 また、素子の高さ調整用などにも使用されます。 上部電極 項目 標準仕様 側面電極 基板厚 0.3mm以上 側面最小パターン幅 0.07mm パターン寸法精度 ± 0.05mm 基板物性値一覧表 エアブリッジ 基板名 99.9% 99.5% 96% セラフレックス® セラフレックス® 窒化アルミニウム 合成溶融 項目 [単位 ] アルミナ基板 アルミナ基板 アルミナ基板 -A -8Y 基板 石英基板 当社独自の技術を用いたエアブリッジを使えば、ワイヤボンディングをする必要 材  質 99.9%Al2O3 99.5%Al2O3 96%Al2O3 3Y-ZrO2 8Y-ZrO2 AlN SiO2 エアブリッジ部 密  度が無く、最短の接続距離とすることができるためにL成分を小さくすることができ Density JISR1634 3.9 3.9 3.8 6.0 5.8 3.3 2.2[ g/㎤ ] ます。 曲げ強度(25℃)Flexural Strength JISR1601 660 440 300 1200 400 330 60 [MPa] 線膨張係数(25~800℃) Linear Expansion Coefficient JISR1618 8 × 10-6 8 × 10-6 8 × 10-6 9.9 × 10-6 9.5 × 10-6 4.6 × 10-6 0.5 × 10-6 [1/K] 電極(A) イメージ図 エアブリッジ部 熱伝導率(25℃)Thermal Conductivity JISR1611 33 32 23 3.2 2.8 200/ 230 1.4 [W/m・K] 選択可 ヤング率 電極(B) 電極(A) 電極(C) Young's Modulus JISR1602 390 380 340 210 ・・・・・ 330 ・・・・・[GPa] ポアソン比 Poisson's Ratio - 0.25 0.25 0.23 0.31 ・・・・・ 0.24 ・・・・・ エアブリッジ部 電極(C) [ - ] 比誘電率(25℃ 1MHz) Dielectric Constant - ・・・・・ ・・・・・ 9.6 30 25 8.8 3.77 [ - ] 比誘電率(25℃ 10GHz) ランゲカプラにエアブリッジを搭載した例 Dielectric Constant - 10 9.8 ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ [ - ] (上から見た図) 誘電損失(25℃ 1MHz)電極(B) -4 -3 -3 -4 -4Dissipation Factor - ・・・・・ ・・・・・ 2 × 10 4 × 10 ≦4 × 10 5.0 × 10 1 × 10 [ - ] 誘電損失(25℃ 10GHz) -4 -4 Dissipation Factor - 1 × 10 1 × 10 ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ 掲載内容の仕様は改良のため予告なく変更することがございます。 [ - ] 体積固有抵抗 15 15 14 12 12 12 16 Volume Resistivity JISC2141 10 10 10 10 10 10 10 [Ω・cm] ※ 表面粗さ(As fired()Ra) Surface Roughness - 0.03 0.1 0.3 0.1 0.1 ・・・・・ ・・・・・ 本    社 〒981-3206 宮城県仙台市泉区明通三丁目10番 [μm] TEL. 022(378)7825 FAX. 022(378)7832 標準厚み Standard Thickness - 0.15, 0.25, 0.38 0.5~1.0 0.635, 0.8, 1.0 0.05~1.0 0.1~0.5, 1.0 ・・・・・ ・・・・・ 営 業 部 〒101-0045 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目5番8号 [mm] (東京営業所) 神田木原ビル6階 その他のサイズ、厚みについては別途御相談に応じます。尚、独自の研磨加工技術により、表面粗さRa=0.02μm以下の鏡面加工も可能です。 ※ 表面粗さについては表側の値となります。 TEL. 03(5297)1321 FAX. 03(5297)0733 上記特性値は保証値ではありません。特性値は改良のため予告なく変更することがございます。 URL http://www.japan-fc.co.jp 名古屋営業所 〒489-0979 愛知県瀬戸市坊金町360番地 TEL. 0561(21)2115 FAX. 0561(21)3980 (改訂:2018 年 1月)
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薄膜集積回路基板 超高精度抵抗体 耐環境性に優れたTa2Nx(窒化タンタル) 当社は、セラミックス基板をベースにした薄膜集積回路のパターン形成をはじめ、成膜、ダイシング 電極 スルーホール 材を基に、特殊膜処理技術により、従来 電極 に至るまでの一貫した製造設備を備え、各種回路のご要求に応じております。 には見られない極小抵抗温度係数(極小 抵抗 抵抗 TCR)を実現し、レーザートリミング技術 また、開発・研究に関わる各種回路についても様々なご要望・短納期対応に応じております。 との併用でDCから高周波まで使用可能な 超高精度抵抗体の製品をご提供します。 用 途 仕   様 主な用途 レーザートリミング仕様 トリミング無し ● 高周波送受信装置用回路、 基板材料 アルミナ(純度99.5%、99.9%)、窒化アルミニウム、その他別途ご相談 増幅器回路、周波数変換回路、 ● 各種アッテネーター製品抵抗値範囲 数10Ω~数百 kΩ 発振器回路、フィルタ回路 他 ● 標準抵抗体シート抵抗 20Ω/□、50Ω/□、100Ω/□、130Ω/□ ● 光通信用E/O変換器 他 抵抗値許容差 最小公差 ±0.1% ±10~20% ● 各種分配基板 精 度 温 度 係 数 -100±20ppm/℃ ● 薄膜増幅器回路基板の ● 計測機器回路 ゲイン調整用抵抗 他 ● センサヘッド用回路 他 (実寸:10mm×12mm) Au-Snハンダ (実寸:1インチ角) 当社では、RoHS指令に対応したAu-Snハンダを薄膜回路基板のAu電極の上に形成することができます。 このAu-Snハンダを施すことにより、実装工数を軽減することができます。尚、少量多品種の試作から量産まで幅広く対応します。 薄膜集積回路 L Au-Snハンダ パターンイメージ図 薄膜抵抗 スルーホール ランゲカプラ キャビティ キャスタレーション t Au電極 基板 標 準 組 成:Au:Sn = 70:30(wt%) 標準膜厚(t):3.5μm(Max5μm)±1μm (Min±0.5μm) Au-Snハンダ詳細図 ハンダ最小寸法(L):30μm±10μm 薄膜キャパシタ 薄膜メタライズ 薄膜キャパシター 上部電極 当社の薄膜キャパシタは、SiO2を使用しているために、高周波領域に おいても低損失で優れた特性を保有しています。 誘電体 側面メタライズ エアブリッジ 下部電極 薄膜キャパシタ仕様 誘電体材質: SiO(2ε r = 4.2) 基 板 材 料:アルミナ(99.5%、99.9%)、窒化アルミニウム、 導 体 材 料:Au 3~5μm(標準膜厚) 静 電 容 量: ・標準仕様:103.4pF/㎟(膜厚0.384μm) 石英ガラス、高誘電体基板、その他、 (標準膜構成:Ti/Pd/Au、Ti/Pt/Au、 ・特別仕様:124pF/㎟(膜厚0.3μm) 別途ご相談に応じます。 Ti/Pd/Cu/Ni/Au) 誘電体の最小寸法: 0.1mm × 0.1mm(容量を決める電極面積は 基 板 厚 さ:0.1~1.0mmt 抵 抗 体:Ta2Nx 誘電体 誘電体面積より小さくなります) 薄 膜 回 路:ライン/スペース 20μm/15μm以上 パシベーション材:ポリイミド エアブリッジ 耐 電 圧:DC30V
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薄膜集積回路基板 超高精度抵抗体 耐環境性に優れたTa2Nx(窒化タンタル) 当社は、セラミックス基板をベースにした薄膜集積回路のパターン形成をはじめ、成膜、ダイシング 電極 スルーホール 材を基に、特殊膜処理技術により、従来 電極 に至るまでの一貫した製造設備を備え、各種回路のご要求に応じております。 には見られない極小抵抗温度係数(極小 抵抗 抵抗 TCR)を実現し、レーザートリミング技術 また、開発・研究に関わる各種回路についても様々なご要望・短納期対応に応じております。 との併用でDCから高周波まで使用可能な 超高精度抵抗体の製品をご提供します。 用 途 仕   様 主な用途 レーザートリミング仕様 トリミング無し ● 高周波送受信装置用回路、 基板材料 アルミナ(純度99.5%、99.9%)、窒化アルミニウム、その他別途ご相談 増幅器回路、周波数変換回路、 ● 各種アッテネーター製品抵抗値範囲 数10Ω~数百 kΩ 発振器回路、フィルタ回路 他 ● 標準抵抗体シート抵抗 20Ω/□、50Ω/□、100Ω/□、130Ω/□ ● 光通信用E/O変換器 他 抵抗値許容差 最小公差 ±0.1% ±10~20% ● 各種分配基板 精 度 温 度 係 数 -100±20ppm/℃ ● 薄膜増幅器回路基板の ● 計測機器回路 ゲイン調整用抵抗 他 ● センサヘッド用回路 他 (実寸:10mm×12mm) Au-Snハンダ (実寸:1インチ角) 当社では、RoHS指令に対応したAu-Snハンダを薄膜回路基板のAu電極の上に形成することができます。 このAu-Snハンダを施すことにより、実装工数を軽減することができます。尚、少量多品種の試作から量産まで幅広く対応します。 薄膜集積回路 L Au-Snハンダ パターンイメージ図 薄膜抵抗 スルーホール ランゲカプラ キャビティ キャスタレーション t Au電極 基板 標 準 組 成:Au:Sn = 70:30(wt%) 標準膜厚(t):3.5μm(Max5μm)±1μm (Min±0.5μm) Au-Snハンダ詳細図 ハンダ最小寸法(L):30μm±10μm 薄膜キャパシタ 薄膜メタライズ 薄膜キャパシター 上部電極 当社の薄膜キャパシタは、SiO2を使用しているために、高周波領域に おいても低損失で優れた特性を保有しています。 誘電体 側面メタライズ エアブリッジ 下部電極 薄膜キャパシタ仕様 誘電体材質: SiO(2ε r = 4.2) 基 板 材 料:アルミナ(99.5%、99.9%)、窒化アルミニウム、 導 体 材 料:Au 3~5μm(標準膜厚) 静 電 容 量: ・標準仕様:103.4pF/㎟(膜厚0.384μm) 石英ガラス、高誘電体基板、その他、 (標準膜構成:Ti/Pd/Au、Ti/Pt/Au、 ・特別仕様:124pF/㎟(膜厚0.3μm) 別途ご相談に応じます。 Ti/Pd/Cu/Ni/Au) 誘電体の最小寸法: 0.1mm × 0.1mm(容量を決める電極面積は 基 板 厚 さ:0.1~1.0mmt 抵 抗 体:Ta2Nx 誘電体 誘電体面積より小さくなります) 薄 膜 回 路:ライン/スペース 20μm/15μm以上 パシベーション材:ポリイミド エアブリッジ 耐 電 圧:DC30V
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エレクトロニクセラミックス 特殊加工メタライズ 当社では、セラミックス基板の表裏面の導通を行うために、① スルーホール、② キャスタレーション、③ サイドパターンの 技術を保有しています。これらの技術を合わせて、お客様の様々なご要求にお応えします。 セラミックス基板 ① スルーホール ② キャスタレーション レーザー加工法により開孔し、孔の内壁をメタライズすること スルーホール加工を利用して形成した半円などの加工面を残 により、基板の表裏面の導通をとります。 すキャスタレーションは、基板の表裏パターンの導通方法の1 当社は、高周波帯域でも誘電損失が小さく、緻密で曲げ強度の高い高品位アルミナ基板のほか、曲がる 仕 様 スルーホール径:φ0.1 ~ 4±0.05mm つとして、スルーホールと共に多様な仕様のご要求にお応え 位置精度:±0.02mm セラミックスとして利用されているセラフレックス®-A、酸素イオン導電性に優れたセラフレックス®-8Yします。 を当社独自技術で生産しております。 電極 スルーホール キャスタレーション 電極 ※ スルーホールのピッチは直径の3倍以上離れていること。 この他、角穴、溝などのご相談にもお応えします。 ③ サイドパターン 基板の端面に電極パターンを形成することにより、基板の側面も電極として使用できます。主に光通信関連に使用されています。 また、素子の高さ調整用などにも使用されます。 上部電極 項目 標準仕様 側面電極 基板厚 0.3mm以上 側面最小パターン幅 0.07mm パターン寸法精度 ± 0.05mm 基板物性値一覧表 エアブリッジ 基板名 99.9% 99.5% 96% セラフレックス® セラフレックス® 窒化アルミニウム 合成溶融 項目 [単位 ] アルミナ基板 アルミナ基板 アルミナ基板 -A -8Y 基板 石英基板 当社独自の技術を用いたエアブリッジを使えば、ワイヤボンディングをする必要 材  質 99.9%Al2O3 99.5%Al2O3 96%Al2O3 3Y-ZrO2 8Y-ZrO2 AlN SiO2 エアブリッジ部 密  度が無く、最短の接続距離とすることができるためにL成分を小さくすることができ Density JISR1634 3.9 3.9 3.8 6.0 5.8 3.3 2.2[ g/㎤ ] ます。 曲げ強度(25℃)Flexural Strength JISR1601 660 440 300 1200 400 330 60 [MPa] 線膨張係数(25~800℃) Linear Expansion Coefficient JISR1618 8 × 10-6 8 × 10-6 8 × 10-6 9.9 × 10-6 9.5 × 10-6 4.6 × 10-6 0.5 × 10-6 [1/K] 電極(A) イメージ図 エアブリッジ部 熱伝導率(25℃)Thermal Conductivity JISR1611 33 32 23 3.2 2.8 200/ 230 1.4 [W/m・K] 選択可 ヤング率 電極(B) 電極(A) 電極(C) Young's Modulus JISR1602 390 380 340 210 ・・・・・ 330 ・・・・・[GPa] ポアソン比 Poisson's Ratio - 0.25 0.25 0.23 0.31 ・・・・・ 0.24 ・・・・・ エアブリッジ部 電極(C) [ - ] 比誘電率(25℃ 1MHz) Dielectric Constant - ・・・・・ ・・・・・ 9.6 30 25 8.8 3.77 [ - ] 比誘電率(25℃ 10GHz) ランゲカプラにエアブリッジを搭載した例 Dielectric Constant - 10 9.8 ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ [ - ] (上から見た図) 誘電損失(25℃ 1MHz)電極(B) -4 -3 -3 -4 -4Dissipation Factor - ・・・・・ ・・・・・ 2 × 10 4 × 10 ≦4 × 10 5.0 × 10 1 × 10 [ - ] 誘電損失(25℃ 10GHz) -4 -4 Dissipation Factor - 1 × 10 1 × 10 ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ 掲載内容の仕様は改良のため予告なく変更することがございます。 [ - ] 体積固有抵抗 15 15 14 12 12 12 16 Volume Resistivity JISC2141 10 10 10 10 10 10 10 [Ω・cm] ※ 表面粗さ(As fired()Ra) Surface Roughness - 0.03 0.1 0.3 0.1 0.1 ・・・・・ ・・・・・ 本    社 〒981-3206 宮城県仙台市泉区明通三丁目10番 [μm] TEL. 022(378)7825 FAX. 022(378)7832 標準厚み Standard Thickness - 0.15, 0.25, 0.38 0.5~1.0 0.635, 0.8, 1.0 0.05~1.0 0.1~0.5, 1.0 ・・・・・ ・・・・・ 営 業 部 〒101-0045 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目5番8号 [mm] (東京営業所) 神田木原ビル6階 その他のサイズ、厚みについては別途御相談に応じます。尚、独自の研磨加工技術により、表面粗さRa=0.02μm以下の鏡面加工も可能です。 ※ 表面粗さについては表側の値となります。 TEL. 03(5297)1321 FAX. 03(5297)0733 上記特性値は保証値ではありません。特性値は改良のため予告なく変更することがございます。 URL http://www.japan-fc.co.jp 名古屋営業所 〒489-0979 愛知県瀬戸市坊金町360番地 TEL. 0561(21)2115 FAX. 0561(21)3980 (改訂:2018 年 1月)