エレクトロニクセラミックス

エレクトロニクセラミックス セラミックス基板 当社は、高周波帯域でも誘電損失が小さく、緻密で曲げ強度の高い高品位アルミナ基板のほか、曲がる セラミックスとして利用されているセラフレックス®-A、酸素イオン導電性に優れたセラフレックス®-8Y を当社独自技術で生産しております。 基板物性値一覧表 基板名 99.9% 99.5% 96% セラフレックス® ジルコニア セラフレックス® ジルコニア 窒化 合成溶融 アルミニウム 誘電体基板 項目 [単位 ] アルミナ基板 アルミナ基板 アルミナ基板 －A －3Y －8Y －8Y 基板 石英基板 材　　質 99.9% Al2O3 99.5% Al2O3 96% Al2O3 3Y-ZrO2 8Y-ZrO2 AIN ・・・・・ SiO2 密　　度 JIS R1634 3.9 3.9 3.8 6.0 6.0 5.8 5.8 3.3 5 4.48 4.25 2.2 Density [g/cm3] 曲げ強度（25℃) JIS R1601 660 440 300 1200 1200 250 250 330 ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ 60 Flexural Strength [MPa] 線膨張係数（25～800℃） JIS R1618 8×10-6 8×10-6 8×10-6 1.1×10-5 1.1×10-5 1.0×10-5 1.0×10-5 4.6×10-6 ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ 0.5×10-6 Linear Expansion Coefficient [1/K] 熱伝導率（25℃） 170/200/230 JIS R1611 33 32 23 3.2 2.9 1.9 1.9 ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ 1.4 Thermal Conductivity [W/m・K] 選択可 ヤング率 JIS R1602 390 380 340 210 210 ・・・・・ ・・・・・ 330 ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ Young’s Modulus [GPa] ポアソン比 － 0.25 0.25 0.23 0.31 0.31 ・・・・・ ・・・・・ 0.24 ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ Poisson’s Ratio [ － ] 1 MHz ・・・・・ ・・・・・ 9.6 30 32 25 25 8.8 ・・・・・ 86 118 3.77 比誘電率（25℃） Dielectric Constant [ － ] 10 GHz 10 9.8 ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ 38 ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ 1 MHz ・・・・・ ・・・・・ 2×10-4 4×10-3 2.5×10-3 4×10-3 4.5×10-3 5×10-4 ・・・・・ 2.5×10-3 2.5×10-3 1×10-4 誘電正接（25℃） Dissipation Factor [ － ] 10 GHz 2×10-5 3×10-5 ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ 3.3×10-4 ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ 体積固有抵抗 JIS C2141 1015 1015 1014 1012 1012 1012 1012 1012 1012 1012 1012 1016 Volume Resistivity [Ω・cm] ※表面粗さ（As fired（）Ra） － 0.03 0.1 0.3 0.1 0.1 0.1 0.1 ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ Surface Roughness [μm] 厚　　み － 0.1～ 0.38 0.5～ 1.0 0.635、 0.8、1.0 0.3～ 0.8 0.05～ 0.3 0.3～ 0.8 0.1～ 0.3 ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ ・・・・・ Thickness [mm] その他のサイズ、厚みについては別途御相談に応じます。尚、独自の研磨加工技術により、表面粗さRa=0.02μm以下の鏡面加工も可能です。　※ 表面粗さについては表側の値となります。 上記特性値は保証値ではありません。特性値は改良のため予告なく変更することがございます。

薄膜集積回路基板 当社は、セラミックス基板をベースにした薄膜集積回路のパターン形成をはじめ、成膜、ダイシング に至るまでの一貫した製造設備を備え、各種回路のご要求に応じております。 また、開発・研究に関わる各種回路についても技術面や納期面等の様々なご要望に応じております。 用　途 ● 高周波送受信装置用回路、 増幅器回路、周波数変換回路、 発振器回路、フィルタ回路 他 ● 光通信用E/O変換器 他 ● 計測機器回路 ● センサヘッド用回路 他 （実寸：10mm×12mm） （実寸：1インチ角） 薄膜集積回路 パターンイメージ図 薄膜抵抗 スルーホール ランゲカプラ キャビティ キャスタレーション 薄膜メタライズ 薄膜キャパシター 側面メタライズ エアブリッジ 基 板 材 料：アルミナ（99.5%、99.9%）、窒化アルミニウム、 導 体 材 料：Au　3～5μm（標準膜厚） 石英ガラス、高誘電体基板、その他、 （標準膜構成：Ti/Pd/Au、Ti/Pt/Au、 別途ご相談に応じます。 Ti/Pd/Cu/Ni/Au） 基 板 厚 さ：0.1～1.0mmt 抵　抗　体：Ta2Nx 薄 膜 回 路：ライン/スペース　20μm/15μm以上 パシベーション材：ポリイミド

超高精度抵抗体 耐環境性に優れたTa2Nx（窒化タンタル） 電極 スルーホール 材を基に、特殊膜処理技術により、従来 電極 には見られない極小抵抗温度係数（極小 抵抗 抵抗 TCR）を実現し、レーザートリミング技術 との併用でDCから高周波まで使用可能な 超高精度抵抗体の製品をご提供します。 仕　　　様 主な用途 レーザートリミング仕様 トリミング無し 基板材料 アルミナ（純度99.5%、99.9%）、窒化アルミニウム、その他別途ご相談 ● 各種アッテネーター 製品抵抗値範囲 数10Ω～数百 kΩ シート抵抗 20Ω/□、50Ω/□、100Ω/□、130Ω/□ ● 標準抵抗体 抵抗値許容差 最小公差 ±0.1% ±10～20% ● 各種分配基板 精　度 温 度 係 数 -100±20ppm/℃ ● 薄膜増幅器回路基板の ゲイン調整用抵抗 他 Au-Snハンダ 当社では、RoHS指令に対応したAu-Snハンダを薄膜回路基板のAu電極の上に形成することができます。 このAu-Snハンダを施すことにより、実装工数を軽減することができます。少量多品種の試作から量産まで幅広く対応します。 L Au-Snハンダ t Au電極 基板 標 準 組 成：Au：Sn = 70：30（wt%） 標準膜厚（t）：3.5μm（Max5μm）±1μm （Min±0.5μm） Au-Snハンダ詳細図 ハンダ最小寸法（L）：30μm±10μm サイドパターン 基板の端面に電極パターンを形成することにより、基板の側面も電極として使用できます。主に光通信関連に使用されています。 また、素子の高さ調整用などにも使用されます。 上部電極 項目 標準仕様 側面電極 基板厚 0.3mm以上 側面最小パターン幅 0.07mm パターン寸法精度 ± 0.05mm

特殊加工技術 ① スルーホール ② キャスタレーション レーザー加工法で開孔した貫通孔の内壁をメタライズすること スルーホール加工を応用して、基板側面に半円状のキャスタ により、基板の表裏の導通がとれます。 レーションを形成しメタライズすることにより、基板の表裏 仕　様　スルーホール径：φ0.1 ～ 4mm の導通がとれます。 位置精度：±0.02mm 電極 スルーホール キャスタレーション 電極 ※ スルーホールのピッチは直径の3倍以上離れていること。 この他、角穴、溝などのご相談にもお応えします。 ③ 薄膜キャパシタ ④ 溝加工 ⑤ ステップ加工 SiO2を使用しており、高周波領域にお 溝加工により、接着剤の流れ出しを防止 ステップ加工で一体構造セラミックスを いて低損失で優れた特性を保有していま します。 製作することにより、接合コストが削減 す。 され、接合材料による熱伝導ロスが無く 溝 なります。 上部電極 誘導体 底面部 下部電極 上面部 エアブリッジ 当社独自の技術を用いたエアブリッジを使えば、ワイヤボンディングをする必要 エアブリッジ部 が無く、接続距離を最短にできるため、L成分を小さくすることができます。 電極（A） イメージ図 エアブリッジ部 電極（B） 電極（A） 電極（C） エアブリッジ部 電極（C） ランゲカプラにエアブリッジを搭載した例 （上から見た図） 電極（B） 掲載内容の仕様は改良のため予告なく変更することがございます。 URL https://www.japan-fc.co.jp （改訂：2022 年 7月）