マルチスペクトル・エリプソメーター

FS-4 / FS-8 マルチスペクトル・エリプソメーター 製品カタログ 2025年 6月現在 特許取得のMWE技術を使用した 新しいエリプソメーター Multi-Wavelength Ell ipsometer (MWE)は、 スペクトルを分離してサンプリングすることで 複雑化することなく、低コストで極薄膜の膜厚を 高精度に計測することを実現しました。

エリプソメーターを知り尽くした開発者が、 膜厚測定のために開発した 「エリプソメーター」 マルチLED光源と特許取得のMWE技術を採用 特許取得(米国特許番号：9,354,118)のMWE(Multi-Wavelength Ellipsometer)技術と マルチ波長のLED光源を使用することで、ワイドなスペクトルを持つエリプソメトリー解析が可能です。 オングストロームナノ薄膜の膜厚を高精度評価 サンプル本来の膜厚をin situリアルタイム測定 薄膜の光学定数（n, k）と蒸着率（nm/min）を計測 エリプソの低コスト化を実現 1

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最大 8波長に！ LED光源で様々なサンプルに対応 マルチスペクトル・エリプソメーターに、8波長モデルのFS-8（G4）が登場しました。 光源には８波長LEDを使用し、波長の追加で幅広い薄膜アプリケーションの測定能力が向上しました。 波長 波⻑（nm） Number new new System of Wvls 370 450 525 595 660 735 850 950 FS-4（gen.4） 4 FS-8（gen.4） 8 FS-4(G4) FS-8（G4） スペクトル範囲 450～660nm 370～950nm 波長数 4 8 ・厚さ0～2μmの単層透明膜を ・UV波長（370 nm）は、10 nm以下の 　0.0004nmの精度で測定可能 　非常に薄い膜やポリマー膜の測定感 ・ 再現性精度が2倍向上 　度を向上させます 特長 （従来装置との比較） ・3つの長波長（735, 850, 950 nm）は、 ・ 簡単に in situ 測定可能 　厚い透明膜（最大5μmまで）や ・ コンパクトな光源と検出器 　半導体吸収膜（ポリ-Si、SiGe、アモ 　　光　源：125×80×60mm 　ルファス-Si等）の測定を可能に 　　検出器：110×80×60mm 3

What is Ellipsometry? 「エリプソメトリー」とは 入射光 p s p 直線偏光 s 反射光 楕円偏光 エリプソメトリー（偏光解析法）では、サンプル表面から反射した光の偏光状態の変化を測定します。 通常エリプソメトリーの測定パラメーターはプサイ(Ψ)とデルタ(Δ)で下の数式によって定義されます。 この数式でρは、p偏光とs偏光の複雑な反射率比をRpとRsで表します。 エリプソメトリーの特長 マルチスペクトル・エリプソメーターの利点 エリプソメトリーは各波長で2つのパラメーター(ψとΔ)を 0Åから2µmまでの透明膜の膜厚測定を可能にします。 測定します。これら2つのパラメーターは、サンプルの特性 複数のサンプルデータの取得と同時解析をすることで、 を２つ決定することができます。例えば、透明膜の膜厚と データセットの情報量を増やし、2つ以上の多くのサンプ 屈折率、または基板の光学定数「 屈性率 (n) 」と「 消衰 ル特性を決定します。これにより、薄膜の「屈折率(n)」およ 係数 (k) 」です。 び「消衰係数(k)」の値と「膜厚」を同時に求めることが可能 エリプソメトリーのパラメーターは比率によって定義され です。 るため、データが測定ビームの光強度に依存しません。 表面粗さ、多層膜の各膜厚、屈折率分散などの他のサンプ そのため、in situ を含め様々な設置形状において、非常に ルパラメーターを決定します。 正確なデータを取得することが可能です。 4つの波長の測定データ(Δとψ)と解析モデルとその結果 エリプソメトリーのデルタパラメーターは超薄膜に対して の信頼性確認が可能です。 も極めて敏感で0Åまでの正確な膜厚測定が可能です。 多くの薄膜や20nm以下の超薄膜の特性決定において、 マルチスペクトル・エリプソメーターは、分光エリプソメト リーと同様の性能を提供することが可能です。 (詳細については、弊社までお問合せ下さい) 入射光 反射光 バルク, n0 膜, n1 フィルムの厚さおよび屈折率などのサンプルパ ラメータを決定するために、光学モデルを使用 基板, n2 してエリプソメトリックデータを分析します。 4

Ch0arac1teristic オングストローム・ナノ薄膜の膜厚を高精度計測 サブモノレイヤーからナノ薄膜の膜厚を高精度計測 マルチスペクトル・エリプソメーターは薄膜に対して非常に高感度で、 エリプソメトリックな（Δ：デルタ・Ψ：プサイ）、パラメーターに由来しています。 サンプルに反射したp 偏光とs 偏光間の位相を測定することで、測定する光の波長（500nm）が 膜の厚さ（0.1nm未満）に比べて非常に長くても、サブモノレイヤーの厚さに至るまで正確な膜厚の定量値を計測します。 多層膜も非破壊で各層の膜厚計測を実現 下記の表は多層膜を含む様々なサンプルを用いた標準測定での正確性と精度を示しています。 MWE技術により、膜厚0Å～1000nmの範囲の薄膜を対象とした膜厚と屈折率の測定に優れています。 C0hara２cteristic 最速1.7m秒からin situでリアルタイム薄膜計測を実現 ALD、MBE、CVD、スパッタ等に搭載して、試料そのものの膜厚を非破壊で計測 ＜in situ 測定 ： 初期のALD蒸着＞ 原子一層の膜厚を高精度に測定 時間(Sec) ▲ スパッタチャンバーへの搭載事例 詳細は 9ページへ 5

Ch0arac3teristic 自動モデル構築機能「 Model Builder」 簡単なサンプル情報の入力で最適な解析モデルを瞬時に提案 エリプソメトリーのデータ解析は、エリプソメーターを初めて扱う方にとっては一つのハードルでした。 Model Builderは、解析モデルの構築とフィッティングテストを自動化する革新的な新機能です。 最適フィットモデルをベースに、今まで通り独自にパラメータを調整することもできます。 簡単で直感的な解析モデルの構築 測定したサンプルについて、いくつかの簡単な質問に答えて基板と 解析する膜の情報を入力すると、Model Builderはモデル検証を 自動で行い最適な解析結果を示します。 詳細は 15ページへ Ch0arac4teristic ウェハーの膜厚マッピングを全自動で取得 「自動膜厚マッピングモデル」 FS-8とコンパクトなマッピングステージを組み合わせて、 ウェハー前面を迅速且つ正確で、信頼性の高い膜厚測定を実現。 詳細は 13ページへ 6

Application サブモノレイヤーから多層膜まで 様々な透明薄膜の計測に 測定サンプル 代表的なアプリケーション シリコンの酸化物や窒化物、High-kおよびLow-k誘電体、 半導体 アモルファスシリコン膜および多結晶シリコン膜、フォトレジスト 光学コーティング SiO2, TiO2, Ta2O5, MgF2などの高／低屈折率の薄膜 ディスプレイ TCO（ITOなど）、アモルファスシリコン膜、有機膜（OLED技術向け） 記憶装置 ダイヤモンドライクカーボン（DLC）膜 in situ測定による蒸着薄膜評価(蒸着率と光学定数)とプロセスコンディションの比較 R&Dプロセス MBEやMOCVD、ALD、スパッタリングなどへの応用可能 化学及び生物学 サブモノレイヤー分子の吸着 工業 インライン・モニタリングおよび膜厚の制御 金属酸化膜 Al2O3, Cu2O, CuO, MgO, TiO2等 FilmSenseソフトウェアのModel Validator機能でも、特定のサンプル構造が測定可能か判定することができます。 測定事例① 測定事例② 多層膜も簡単に高精度で測定 混合層を含んだ多層膜サンプル測定 SiO2 マルチスペクトル・エリプソ Al2O3 金属薄膜の光学定数は蒸着時 Si3N4 メーターでは、多層膜サンプ Al＋Al2O3 の間 などに依存されます。酸 SiO2 ルの計測も可能です。 SiO2 化アルミ(Al2O３)についても同 左の測定事例のように、2層 様に酸化されていないAlが混 Si Si 以上の薄膜でも正確に、また 在した層が形成されることが 高精度でその膜厚を明らか あります。 にすることが出来ます。 マルチスペクトル・エリプソメーターでは、このような混合層もしくは間 を 含む薄膜においても混合比率を考慮して高精度に各層の膜厚を求めること が可能です。 サンプル 測定膜 正確性 精度 レイヤー 膜厚(nm) AI2O3含有量(%) 多層膜サンプル(左図) 最表面 SiO2膜 0.54 nm 0.0049 nm AI2O3 9.1201 100nm－50 －100nm 中段 S i 3N 4膜 1.0 nm 0.0096 nm AI + AI2O3 16.623 62.852 ONO on Si 最下面 SiO2膜 1.4 nm 0.013 nm SiO2 100.53 ▲多層膜サンプルの測定結果 ▲混合層を含むサンプルの測定結果 測定事例③ 表面ラフネスも考慮した膜厚計測 左図はSi基板をアトムビームエッチングした際に生 アモルファスSiO2層 じるダメージ層(アモルファスシリコン)の膜厚を測 定した事例です。エリプソメトリーの測定結果は、表 サンプル 平均膜厚(nm) 平均ラフネス(nm) 面ラフネスに影響されます。 サンプル1 5.67278 0.590472 マルチスペクトル・エリプソメーターでは、エッチン 基板：Si サンプル2 6.94042 0.171062 グ時のラフネスの増加を考慮した光学モデルから 高精度の膜厚を計測することが可能です。 ▲表面ラフネスを考慮したサンプルの測定結果 7

「Fast Mode」最速1.7ｍ秒の 超高速ダイナミックエリプソメトリー測定！ 従来のエリプソメーターも10m秒での高速測定が可能でした が、「Fast Mode」により、測定波長数を減らし、3.2m秒/波長数 （暗部補正なしにすると最速1.7ｍ秒/波長数）での超高速測定 を実現しました。 in situ測定で、さらにリアルタイムな測定を可能にします。 暗部補正あり （FilmSenseソフトウェアのバージョン3.0以降で利用可能です） 暗部補正なし 数nm薄膜の光学定数を計測可能な「 液体セル」 今まで不可能だった、10nm以下の極薄膜サンプルの屈折率(n)と 消衰係数(k)、膜厚(t)の精確な解析を、大気と「液体セル」による液 中環境でのエリプソメトリ計測を組み合わせることで実現しました。 薄膜の特性評価により多くの情報と感度を提供します。 ・極薄膜 (< 10 nm) の正確な屈折率と膜厚　 ・分散モデルなしで薄膜の n & k および膜厚を決定 大気 n=1 水環境　n=1.33 薄膜　nf 薄膜　nf ホワイトペーパー　 基板　ns 基板　ns 液体セルを利用した薄膜計測 エリプソメーターでは、各波長に対しプサイ(Ψ)とデルタ(Δ)の2つ 下のQRコードからダウンロード可能なホワイトペーパーは のパラメータしか測定できませんが、解析では屈折率 (n)、消衰係数 マルチスペクトル・エリプソメーターの液体セルの性能と機能に (k)、膜厚(t)の3つのパラメータが必要です。従来は、同じ材料で膜厚 ついて紹介しています。液体セルを用いたアプリケーションは他 が異なる複数のサンプルをマルチサンプル解析していましたが、「液 にもありますが、このホワイトペーパーでは薄膜の膜厚と光学定 体セル」を使用することで、1つのサンプルでも「大気環境」と「水環 数を分散モデルを使用すること無く求める点に焦点を当ててお 境」の2環境条件でマルチサンプル解析をすることができるようにな ります。 りました。 Siウエハー上の自然酸化膜とTiN膜の測定事例と合わせてご紹 介致します。 特に非常に薄い膜では、膜厚と屈折率が相関することは良く知られ ていますが、空気と水中のエリプソメトリー測定を組み合わせること で、この相関関係を解消することができ、非常に薄い膜でも正確な屈 折率決定が可能となります。 8

in situ 計測 コンパクト設計で取付けも簡単！ 特許技術の光学経路を採用したin situエリプソメーター MWE技術では計測時の光学経路は固定され、装置内部に可動部位がない為、in situ取付や校正も簡単に可能。 LED光源採用で装置が非常にコンパクトになり、真空装置や取付けられた 他検出器と干渉することも最小限に抑えることが可能です。 また、FS-APIインターフェース(LabVIEW™ 互換性あり)で外部ソフトウェア制御ができます。 ビームの入射角は60°～75°まで対応 ビーム全長は最大で1ｍまで対応 簡単にin situセットアップ サンプル 真空チャンバー ビームの入射角 ビーム全長とスポットサイズ（下記より小さいサンプルへ対応したアダプター・事例もあります。） 真空装置は、エリプソメーターを取付ける入射光と反射光が通るウインドウが２つ必要です。 9

今まで困難だった in situ エリプソメトリー計測を実現 in situ測定が可能にすること ・極薄膜(0Å～5μm）の膜厚を高精度計測 ・膜の光学定数(屈折率:n, 消衰係数:k)の 変化を経時的に測定 ・蒸着レートの算出が可能 in situエリプソメーターは成膜過程の薄膜を「in situ」で高精度に評価が可能 です。0.1Å以下の分解能で高精度にかつリアルタイムに膜厚の変化を求めま す。膜厚だけではなく、成膜した膜の光学定数、屈折率の変化を経時的に測定 評価することも可能で、蒸着レート変化の算出も可能です。 ▼ALD蒸着のin situ膜厚測定 ▼屈折率 (n)と蒸着率の解析結果 in situ 測定用 自動アライメントアダプターシステム in situ 測定時の光路を10秒で自動調整 in situ 測定時のビームアライメントは、大型のプロセスチャンバーやサンプ ルに反射光を「見る」ための光学アクセスが限られるチャンバーでは、難しい 場合がありました。 in situ 測定用自動アライメントアダプターシステムはビームの位置が決まる までステージを自動で傾斜して探索します。 標準で 1.33 インチ または 2.75 インチ のコンフラットフランジに取り付け可 能です。使用には第3世代以降のマルチスペクトル・エリプソメーターが必要と なります。 ・光路調整と校正をオートメーションで実行 ・最大±4.5°までの傾斜調整が可能 10

in sit0u Ap1plication スパッタコーターの堆積初期薄膜評価 チタン（Ti）のオングストローム薄膜を高精度に膜厚計測 上のグラフは、スパッタコーター(Kurt J. Lesker社 PVD75)によるチタン薄膜の堆積時の膜厚を計測した事例です。 オングストロームレベルの非常に薄い薄膜も高い精度で測定することが可能です。 堆積初期の核形成段階をラフネスで評価 ２種類の解析モデルの解析結果 ① Tiの膜厚のみの解析したモデル 　---　Fit Diff (膜厚のみを解析) 　--- Tiの膜厚 ② Tiの膜厚とラフネスを同時に解析したモデル 　 ー　Fit Diff (膜厚とラフネスを同時に解析) 　 ー　Tiの膜厚(膜厚とラフネスを同時に解析) 　 ー　Tiのラフネス 上のグラフは、チタン(Ti)の初期堆積を２つの方法で解析した結果です。グラフの左のy軸が膜厚をnmで表し、右のy軸が解析の信頼性を Fit Diffで表したものです。このFit Diffは値が小さいほど信頼性が高くなります。解析①の「膜厚のみを解析したモデル」では堆積直後に大き くなっていますが、解析②の「膜厚とラフネスを同時に解析したモデル」の方が、全体的に値が低く、膜厚と同時にラフネスを解析した方が信 頼性が高いことを表しています。 このことから膜厚とラフネスの両方が変化していると考えられます。 つまり、Ti膜ができるのではなく、最初にTiの核が形成されてラフネスが上昇し、その後にTi膜が形成されていることを示しています。 マルチスペクトル・エリプソメーターでは、このようなラフネスを考慮した解析も可能です。 資料御提供︓Penn St. University Materials Research Inst., William Drawl 11

in sit0u Ap2plication ALDに搭載しオングストロームレベルの極薄膜を評価 ALDサイクルの膜厚変化を高精度にモニタリング　＜ルテニウム（Ru）膜の成膜＞ 原子層堆積装置(ALD)は、化学反応による成膜方法で、原子一層の成膜を行う装置です。 マルチスペクトル・エリプソメーターは原子一層レベル(オングストローム領域)の膜厚変化を高精度に測定することができます。 また高速(10m秒間隔)でデータ取得が可能なため、ALDサイクルによる膜厚の増減や初期サイクルにおける膜厚増加を定量化できます。 白金(Pt) Seed層の膜厚計測 ルテニウム(Ru)膜の膜厚計測 ● ALDを使用したルテニウム堆積膜 (Ru（EtCP)2 + O 2 プラズマ)のin situ測定 ＜ALD搭載事例＞ ● Seed層となる白金(Pt)を、ALDにより20, 35, 70サイクルで堆積した際の膜厚変化です。(左図) ・Kurt J. Lesker社（モデルALD 150LX） ・Lam Research社・ Picosun社 　白金膜の膜厚の再現性は非常に高いことが分かります。 ・Beneq社 ・Ultratech社 ● 異なる膜厚の白金 Seed層上にALDでRuを堆積した際のRu膜の膜厚変化です。(右図) その他、カスタムALDチャンバー in sit0u Ap3plication 原子層エッチング(ALE)の膜厚評価 CF膜堆積及びSiO2膜エッチング ALEでは、まずSiO2上にフルオロカーボンを堆積させます。この際、CF層とその下のSiO2膜との間に原子的に薄い混合層が形成されます。 その後にアルゴンプラズマを行うとCF層と共に下地のSiO2層が同時に除去されます。 右のグラフでは、黒線がエリプソメトリーによって測定されたCF層とSiO2がエッチングされた膜厚、緑色の線がSiO2の含有量を示しています。 測定の結果から、CF層の除去と同時に下地のSiO2層が1nm程度エッチングされていることが分かります。 参考文献： Ryan Gasvoda et. al., “Surface Phenomena During Plasma-Assisted Atomic Layer Etching of SiO2”, ACSAppl. Mater. Interfaces, 2017, 9 (36), pp 31067–31075 12

Lineup 全自動マッピングモデル 品質管理に！ウェハーの膜厚マッピングを全自動で取得 FS-8とコンパクトなマッピングステージを組み合わせて、ウェハー前面を迅速且つ正確で、信頼性の高い膜厚測定を実現。 電動ステージとFilmSenseソフトウェアを組み合わせることで、膜厚や光学定数の結果を等高線図や3Dプロットで表示することが可能です。 解析モデルはFS-8の標準モデルと同様にライブラリにある光学定数を使用したり誘電関数モデルを使用して作成可能です。 49点を最速150秒で測定! サンプルの膜厚等高線マップを自動＆迅速に簡単取得 Z軸オートアライメント機能を搭載することで、 膜厚の再現性0.015nmでマッピング可能。 ブラウザー上の操作のみで反射光が検出器に最適に入るよう、 強度と反射光の位置合わせを自動で調整します。 設定したスキャンパターンへサンプルステージが自動で移動し、 各ポイントの膜厚と光学定数を測定します。 ウェハーのマッピング時間は、150秒(49点測定の場合)の 短時間で測定が可能です。 FS-RT300 φ300㎜マッピングモデル 13

測定事例：Si3N4 on Si の膜厚＆屈折率測定 自動マッピングモデルによって測定したデータのご紹介です。 光学モデルには、Si3N4 膜を「Cauchy」でデータ解析しています。 マッピング結果は、等高線プロットと3Dプロットで示されています。 公称100 nmである膜厚のばらつきは約 5 nm であることが確認できます。 右側の3Dプロットを用いることで不均一性をより直感的に把握することができます。 屈折率はウェハー全体で非常に均一で、ピークからピークの変動は0.01未満であることが 測定結果から確認できます。 14

FILM SENSE SOFTWARE Powerful ellipsometry data analysis software that is easy to use Film Sense ソフトウェアは測定したエリプソメトリックデータを分析し、 エリプソメトリーとは 膜厚、屈折率、消衰係数など、指定したパラメータの測定結果を出します。 薄膜⼲渉⽅程式 ソフトウェアは、検出器ユニット内のコンピュータ上で実行され、標準の 薄膜干渉方程式 Webブラウザがソフトウェアのユーザー インターフェイスを提供します。 Web ブラウザ (Windows、Mac OS X、Linux、iOS、Android) をサポート するパソコンまたはタブレットで、イーサネット接続を使用してFilm Sense エリプソメーターを操作できます 。Webブラウザインターフェイス の主な利点は、ソフトウェアのインストールが不要なことで、Film Sense エリプソメーターのセットアップと操作が大幅に簡素化されることです。 (オフライン分析をサポートするために、ソフトウェアのデスクトップもオ プションでご用意しております。) r p、s ︓反射係数 β ︓膜の位相因⼦ θ ︓⼊射⾓ 解析解モ析デモルとデ解ル析と結解果析結果 エリプソメトリーの解析では生データであるΨ（Psi）とΔ（Delta）から解 析モデルを使用して、目的とする膜厚や屈折率などのパラメーターを算出 します。 右図では、膜厚と膜の屈折率の２つのパラメーターを薄膜干渉方程式か ら求めた事例です。求めたいサンプルパラメーターのFitの部分にチェッ クを入れて(この場合は膜厚dと屈折率 n1) を直接決定できます 。 これらすべての計算を内部で自動的に処理します。 Model Builderの解析は、簡単3ステップ 簡単なサンプル情報入力で 最適な解析モデルを瞬時に提案 1 サンプル構造を指定しモデルを比較 「Model Builder」機能 Model Builderの設定は、基本的に測定する膜や基板の情報を入力するだ けで完了です。膜については、元になる光学定数をライブラリもしくは数値 エリプソメトリーのデータ解析は、エリプソメーターを初めて扱う方にとっては で入力し、おおよその膜厚を入力するだけです。 一つのハードルでした。 エリプソメーターの光学定数ライブラリから得られる単純なモデルから、 Model Builderは、解析モデルの構築とフィッティングテストを自動化する 表面粗さやグレーディング(密度変化を伴う)を含む複雑なモデルに至るま 機能です。最適フィットモデルをベースに、今まで通り独自に で、複数のモデルを自動構築して解析テストします。 パラメータを調整することもできます。複雑な作業を高速で実現します。 Model Builderの機能 ・ マルチサンプル解析やパラメータ化された振動子モデルなどの 高度な解析機能を実装 ・ 単一点測定、自動マッピング、in situ測定などのリアルタイムデータをサポート ・ Model Builderは、より多くの種類の薄膜アプリケーションをサポートするために、 継続的に進化および改善されます ・ Film Sense ソフトウェアのバージョン 3.0以降 で利用可能です 解説動画はこちら 15

解析モデルの特長 ● 標準解析、in situ マルチレイヤー、マルチサンプル、軌跡(ΔとΨの変化)、 　および表面近傍データ解析モード ● 最大 10 のモデル レイヤー、オプションの表面粗さ、および基板裏面反射補正 ● パラメーターの範囲と開始増分により、パラメーターの収束の適合性が向上します ● 混合マテリアルおよびグレーデッド インデックス レイヤーに対するBruggeman有効媒体近似法 ● Cauchy、Sellmeier、Lorentz、Tauc-Lorentz、 Drude、Drude-Lorentzおよび 　 Multi-Osc 分散モデル ● 温度または組成に依存する光学定数ライブラリ ファイル ● 偏光解消または透過強度データを多波長データ解析と組み合わせることができます ● 単一の測定または動的データをシミュレートし、Fit Diff とパラメーター値をプロットします ● 適合パラメーターの 90% 信頼限界と相関行列を表示し、パラメーターの精度を推定します 分析モデル画面には、Film Sense エリプソメ トリック データを分析および視覚化するため の強力な機能が用意されています。 2 解析テストの測定結果を提示 3 モデルの検証と「最適なモデル」を提示 測定サンプルに「最適」なモデルと測定結果を提供すると共に パラメーターのエラーチェック、モデルの収束の モデル検証で解析した各モデルの適合度を示します。 検証を行い、最適モデルを一緒に示します。 16

Option 多彩なオプション in situ 測定用自動アライメント in situ アダプター 液体セル アダプターシステム FS-IS1 数nm薄膜の光学定数を計測 ● 標準で2.75”または1.33″のコンフラット ● 光源と検出機器の設置アダプター 「水中」と「大気」環境とのエリプソメト 　真空フランジに接続可能 ● 標準で2.75”または1.33″のコンフラット リー計測を組み合わせる事で、10nm ● 10秒で光学経路調整と校正を自動で実行 　真空フランジに接続可能 以下の極薄膜サンプルの屈折率(n)と ● 最大±4.5°で傾斜調整を実現 ● 光軸の位置合わせ用チルトステージ 消衰係数(k)、膜厚(t)を求められます。 　調節が容易に可能 ※上記画像には、in situ小型サンプル用 　アライメント(FS-DT)が含まれております。 フォーカスレンズセット FS-F27 フォーカスレンズを使用することで、サンプル上の照射 サイズを約0.55×1.3㎜または、0.25×0.55㎜から選択 できます。 仕様 マルチスペクトル・エリプソメーター FS-RT300 FS-4 G4 FS-8 G4 自動膜厚マッピングモデル 光源 LED 使用波長 450、525、595、660（nm） 370、450、525、595、660、735、850、950 （nm） 精度 0.0004 nm 以内　※厚さ0～2μmの単層透明膜の測定時 最大データ取得レート 1.7ミリ秒（Fast Mode使用時） 入射角 65° サンプルサイズ φ200mm、厚さ20mm φ300mm 照射サイズ 4 × 9 mm (＊0.55×1.3mm、0.25×0.55mm) 0.8 x 1.9mm ＊オプション使用時 ＊その他オプション有 回転自動ステージ ・移動距離 チルトステージ 直線方向：150mm 分解能：12μｍ 標準付属品 ・傾き：±２° 回転方向：360° 分解能：0.05° ・ウェハーマッピング時間 150秒(49点測定) 設置サイズ W400×D180mm W400×D500mm 重量 5 ㎏ 22㎏ 電源 AC100V 0.5A AC100V 1.7A 消費電力 50W 170W 17

Support オンラインサポート 「どんな些細な事でもお気軽にご相談できる」オンラインサポート を始めました。 移動の手間もなく、ネットワーク環境があればすぐに開始することが可能です。 装置のご案内、サポート、デモンストレーションなど、柔軟にご対応致しますので、お気軽にご相談ください。 指定のURLをクリックするだけ ネットワーク環境があれば 面倒な操作不要 どこでも繋がる ？ どんな些細なことでも！ 電話だけでは分からないことも 気軽に相談OK お悩み即解決！ エリプソのオンライン解析サポートも可能 まるっと 【オンラインサポートとは？】 オンラインで解決！ 「時間・手間をかけずに相談したい」 「装置の使い方を説明してほしい」 「気になっている製品のデモンストレーションを見たい」 「装置修理・トラブル時に相談したい、動画でわかりやすく説明してほしい」 「装置の価格を知りたい」 …こんな時に、お気軽にご相談いただける簡単サポートです。 テクノロジーラボでの製品評価 2023 年 8 月 1日、テクノロジーラボは、本社オフィス 4F( 東京都新宿区 ) へ移転し、新設備のもとリニューアルオープンいたしました。 お客様立会いで装置を評価してもらえるより身近なラボとしてご利用いただきたく存じます。 製品開発・評価 受託測定 製品デモ・サンプル測定 新規製品開発及び、既存製品改良の お預かりしたサンプルを測定・解析し 立会デモ・サンプル測定を承っておりす。 ための技術開発、品質保証データの取得を 結果をレポート致します。 処理後の最終評価（SEM, EDS / CP 等も 行っております。 可能です。 18

A3サイズのコンパクトボディで 短時間・高精度解析を実現 本社 大阪事業所 名古屋事業所 23年10月移転 福岡事業所 23年10月開設 仙台事業所 TEL (03)5379-0051 TEL (06)6212-2500 TEL (052)854-7500 TEL (092)688-2229 TEL (022)218-0560 FAX (03)5379-0811 FAX (06)6212-2510 FAX (03)5379-0811 FAX (03)5379-0811 FAX (022)218-0561 meiwanet.co.jp 〒160-0022 〒542-0074 〒460-0003 〒819-0388　 〒981-3133 メイワフォーシス株式会社 新宿区新宿1-14-2 大阪市中央区千日前1-4-8 名古屋市中区錦1-5-11 福岡市西区九大新町5-5 仙台市泉区泉中央1-28-22 KI御苑前ビル 千日前M’sビル9F 名古屋伊藤忠ビル 712号室 いとLab+ 305 プレジデントシティビル3F meiwanet 検索 Lab 本社4F「テクノロジーラボ」／慶應義塾大学内 「ナノ粒子計測技術ラボ」／京都工芸繊維大学内 「表面解析ユニット」 ※テクノロジーラボ、ナノ粒子計測技術ラボ、表面解析ユニットへの連絡は本社までお願いいたします。※外見・仕様・その他について、予告なしに変更をする場合がございます。