ソフトプラズマエッチング装置

SEDEシリーズ ソフトプラズマエッチング装置 製品カタログ 2021年8月現在 購入後も万全のサポートをお約束 ご購入後も安心してご使用いただけるよう、高品質なサポートをご提供致します。 また、豊富な経験を持つ技術者が装置の状況に合わせた最適なメンテナンスを 実施いたします。 お困りのことがありましたらお気軽にお問合せください。 SEDEシリーズラインナップ 型式 SEDE-PHL SEDE-PFA SEDE-P SEDE-GE 放電方式 グロー放電 グロー放電 グロー放電 グロー放電 パワー 3～90W ※ 3～18W ※ 3～18W※ 3～18W※ 試料ステージ φ148㎜ φ148㎜ φ148㎜ φ80㎜ 均一照射面積 80％ 80％ 80％ 55％ 領域面積 138㎠ 138㎠ 138㎠ 28㎠ 自動モード なし あり なし なし 使用可能ガス 大気・酸素・アルゴン・CF4 他 大気・酸素・アルゴン 他 大気・酸素・アルゴン 他 大気・酸素・アルゴン 他 真空ポンプ容量 136L 136Lまたは50L/min 136Lまたは50L/min 50L/min 最大消費電力 830W 760W 740W 620W 設置サイズ W367×D258×H345㎜ W367×D258×H345㎜ W367×D258×H345㎜ W367×D258×H360㎜ 重量 20㎏ 18㎏ 17㎏ 11㎏ *出力は研究内容に合わせてカスタマイズすることができます。 メイワフォーシス 株式会社 製品、その他お問合せ先 本 社 : TEL (03)5379-0051 FAX (03)5379-0811 〒160-0022 新宿区新宿1-14-2 KI御苑前ビル 大 阪 本 部 : TEL (06)6212-2500 FAX (06)6212-2510 〒542-0074 大阪市中央区千日前1-4-8 千日前M’sビル9F 名 古 屋 営 業 所 : TEL (052)686-4794 FAX (052)686-5114 〒464-0075 名古屋市千種区内山3-10-18 PPビル3F 仙 台 営 業 所 技 術 開 発 セ ン ター : TEL (022)218-0560 FAX (022)218-0561 〒981-3133 仙台市泉区泉中央1-28-22 プレジデントシティビル3F テ ク ノ ロ ジ ー ラ ボ : 〒135-0064 東京都江東区青海2-4-10 東京都立産業技術研究センター 製品開発支援ラボ318　 慶應義塾大学-メイワフォーシス ナ ノ 粒 子 計 測 技 術 ラ ボ : 〒223-8522 神奈川県横浜市港北区日吉3-14-1 慶應義塾大学 矢上キャンパス理工学部中央試験所 36棟213号室 ※テクノロジーラボ、ナノ粒子計測技術ラボへの連絡は本社までお願いいたします。※外見・仕様・その他について、予告なしに変更をする場合がございます。

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φ148㎜ φ118.4㎜ ■ SEDE特殊電極 ■ 従来型電極 100㎜ 100㎜ 資料御提供：東京大学大学院 農学生命科学研究科 生物材料科学専攻 PLAフィルム（3W 5分処理） 均一照射面積 均一照射面積 　　　　　 製紙科学研究室 磯貝 明 様 齋藤 継之 様 福住 早花 様 PETフィルム（6W 1分処理） 80% 35% PETフィルム100㎜角のフィルムの親水化処理後、セルロース水分散液をコーティング。 SEDE-PFAは大口径φ148㎜ステージで中央から約80％を均一プラズマ照射ができる ため、化学処理せずに以下の条件で短時間親水化処理が出来ます。 親水化後にセルロースを塗布したフィルムは、高い透明度を保ちつつ酸素のバリア機能 を持ちます。 電極がテフロンで覆われており、電流がエッジに集まらない設計 従来型の電極はステージ周囲の直角エッジ部に誘引されます。散 になっております。 乱照射が多く、脆弱化されたパワーとムラのあるプラズマになり、 そのため、ステージ中央部80％の面積を均一に処理することがで ステージの中央部30～40％程度のみの範囲でないと均一に照射 きます。 できません。 3 4

※SEDE-PHL 使用時 ※SEDE-PHL 使用時 ドープ Si  6nm 40nm SEDE-PHLはCF4ガスを導入し、1000Vの高出力プラズマを安定して照射することができるため、これまで大型高周波設備でなければ難しかった ドライエッチングを小型卓上モデルで実現。処理の難しいNbドープTiO2サンプルも短時間で均一に異方性エッチング処理することができます。 使用ガス：CF4 電流値：50mA 時間：120秒 上の画像はフォトレジストパターン上からエッチング処理を行い、マスク除去後のAFM像です。NbドープTiO2サンプルは5分間（40ｍA)で40nm、 Siサンプルでは2分間（20mA）で6nmが均一にエッチングされている事がAFMの測定データより確認できます。 レジスト hBN hBN をつけたい場所 面方向均一処理のため下層に存在する材料への影響を最小限に抑えた処理が可能です。 hBN（窒化ホウ素）をCF4ガスを使用したプラズマでの処理です。 Si基板上に金電極を付けており、二つの金電極間をhBNでつないだナノ電気機械デバイスを作製します。 酸化物材料のCF₄ドライエッチングに使用しています。手軽なプラズマ装置では、エッチングをしようとして代わりに別のものが「堆積」されること しかし、hBNを着ける場所は1μm程度のため、狙って着けることができません。そこで、広くhBNを着け、レジストで保護した後に不要な場所を がよくありますが、本装置では十分にパワーを上げることで、単結晶チタン酸化物基板でもエッチングすることができます。 CF4プラズマにて処理を行いました。120秒の処理でhBNはプラズマに除去され、レジストで保護された部分のみが残っています。 フォトレジストと組み合わせれば、トレンチ構造なども作成可能です。 資料御提供：大阪府立大学工学研究科　電子物理工学分野　ナノデバイス研究グループ　教授　秋田成司　様 資料御提供：東京大学 大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻　矢嶋 赳彬様 5 6

マイクロ流路デバイスの研究分野で広がりつつあるPDMS(ポ エッチング前 エッチング後 リジメチルシロキサン)を利用した研究に、ソフトプラズマエッ ※1 チング装置が活用されています。 ※2 cap+sample層 再現性の高いSEDEシリーズならプラズマ処理でPDMS基板と マイクロ流路加工を行ったガラス基板を、全面の完全接合を失 敗なく処理することができます。特にSEDE-PFAならオート機能 も搭載しているため、誰もが簡単に統一された処理を行うこと bottom層 ができます。 大きめの試料なら90×45㎜2枚程度（基剤とシリコン等）の PDMS全面接合ができます。PDMS-PDMSの接合だけでなく、 PDMS-PS（ポリスチレン）やPDMS-PVC（ポリ塩化ビニール）も 接合できます。 良質な結晶を作製することが困難なβ-FeSi2半導体の ソフトプラズマエッチング装置にアルゴンガスを導入して 結晶薄膜を、ZMC（Zone Melting Crystallization）法を cap層のSiO2をエッチング結晶化させる前の薄膜にエッチン 用いることで、酸化シリコン膜上に作製することに成功し グを施すと、上記画像のようにsample層にダメージなく、 ました。 cap層を削ることが可能です。 資料御提供：広島大学 ナノデバイス・バイオ融合科学研究所 村上 裕二 様 しかし、SiO2に覆われた状態では、作製した結晶薄膜の 結晶化した薄膜でもフッ酸等の化学薬品を用いずにエッチ 電気物性が測定できませんでした。 ング処理するこができ、電気物性の測定も可能となりました。 PDMSを用いた無線駆動水晶振動子 ※2 バイオセンサの作製事例 cap層 ＋ sample層 薄板水晶振動子をマイクロ流路内に内包したバイオセンサ エッチング前： エッチング後： （RAMNE-Q）の作製の際に、PDMS同士の接合用途として 0.83µm 0.72µm 使われました。 ※1 サンプルホルダーの傾きによるbottom層の厚さの変 化を補正した後のSEM画像を見比べると、エッチング 0.11µm 厚さが薄くなりました されていることが視覚的に確認できます。 資料御提供：東京工業大学 炭素循環エネルギー研究センター 伊原研究室 井上 健 様 7 8

AFMのフォースカーブを用いてカンチレバーの先端に付けたシリコンビーズ とアルミナ基板の表面間力を液中で測定した事例です。アルミナ基板表面に 付着したコンタミ物質をSEDEソフトエッチング装置でクリーニングすることに より本来の斥力及び引力の測定を行う事ができます。 処理前 処理後 カンチレバー 未処理 5秒 25秒 シリ 接触角：80度 接触角：41度 接触角：14度 コン 斥 リトラクション 力 （Retracting） リトラクション アプローチ コンタミの影響 （Retracting） （Extending） 引 力 アプローチ アルミナ基板を SEDE-PFA で （Extending） 真空度 8Pa / 電流値 4mA アルミナ基板 プラズマクリーニング 資料御提供：広島大学 工学部 山本 徹也 様 水に浮いた超薄片を水面下からすくい上げる際、疎水 性のある支持膜の場合、支持膜を切片に近づけると切 触媒（TiO2）を走査透過電子顕微鏡（STEM）で 片が逃げてしまい、すくうことが出来ません。 プラズマクリーニング処理なし プラズマクリーニング処理あり 観察する際に発生するコンタミを除去するた 疎水性の強いカーボン膜には、親水化が必要です。 STEM観察後にコンタミが発生 STEM観察後もコンタミの発生なし め、プラズマエッチング装置の使用が有効です が、従来のエッチング装置を使用すると、マイ 低出力でプラズマ処理できるSEDEなら、脆いカーボン クログリッドのカーボン膜が30秒ですべて無く 膜もダメージなく処理することができます。 なったり、条件設定がラフで再現性が取れな かったりします。 SEDEなら条件を細かく設定でき、ソフトで均 一なエッチング処理が出来るため、サンプルに 全くコンタミが付かず、カーボン膜もダメージ がありません。 安定した均一なプラズマ放電により、常に同じ 観察前 観察前 結果が得られ、最大φ148㎜までのサンプル が処理できる点が非常に有用です。 【テスト条件】200kV 観察倍率：300万倍 サンプルをセットして調整後、写真を撮影、すぐ にSTEM（500万倍）で数分間観察を行い、倍率 を300万倍に下げて写真撮影を行いました。 【 結　 果 】 SEDEでクリーニング処理したサンプルには全コ ンタミが付かず、カーボン膜にもダメージがあり 観察後 観察後 ません。 資料御提供：名古屋大学大学院 工学研究科 電子情報システム専攻 川﨑 忠寛 様 9 10