研究開発、試作開発に最適！卓上型、真空プロセス高速加熱炉

Φ６インチ対応 真空・プロセスガス⾼速アニール加熱システム SiCの熱酸化プロセス及びGaNの結晶成長など高い純度や安定性を要求される研究開発に ● RTP-150製品概要 最⼤到達温度1000℃ 幅広いアプリケーションに対応可能な高温環境を実現。 SiAu、SiAl、SiMoなどのアニーリングやペースト材料などの 焼結プロセスはもちろん、SiCやGaNなどの新材料にも対応 可能です。 リニアな温度コントロールを実現 独自の温度制御技術で、面内温度を均一に維持でき、かつ 昇温後のオーバーシュートも起こしません。 クリティカルな温度プロファイルが再現できます。 コンタミネーションの発⽣を⼤幅に低減 超高純度石英(EN08)チャンバー採用により、 ▶RTP-150 出ガスの発生を抑えることで、不純物の再結晶を防ぎます。 装置サイズ ：503 x 525 x 570 mm (WxDxH) また、オプション使用で10-4Paの超高真空環境を実現可能。 装置重量 ：約80 kg プロセスガスの残留を分子レベルで除去します。 ● RTP-150 加熱プログラム作成画⾯ ● RTP-150 ウエハートレイ概要 ● RTP-150 主な対応アプリケーション ・SiからSiC、GaNなど様々な超高温/高温熱処理 ・窒化・酸化膜生成 ・イオン注入後の結晶活性化 ・オーミック性接合材形成 ・Low-k材熱処理

● RTP-150 機能詳細 ▶抜群の温度コントロール性 ・昇温速度75 K/秒（EPオプション装備で最大150 K/秒） 最大到達温度1000℃まで約13秒でスピード昇温。急速な温度上昇を要する研究にも対応できます。 ・面内温度差を±1.5℃以内に制御 ・オーバーシュートを限りなくゼロに低減 計24本のIRヒーターを、チャンバー上下にクロス配列及びP.I.D制御による出力制御で、面内温度を均一に維持し つつ、昇温後のオーバーシュートも限りなく低減することで、クリティカルな温度設定を可能にしました。 ▶コンタミネーションの発⽣を低減 ・超高純度石英チャンバー採用 EN‐08の高純度石英を使用。出ガスの発生を低減することで、再結晶を防ぎます。 ・ 10‐4Paの超高真空に対応可能（HVオプション装備時） ターボ分子ポンプが質量の軽い水素ガスなども完全に除去します。 ▶オプションで様々な実験環境に対応 ・酸素やアルゴンなど、多彩なガスパージ環境に対応 標準対応の窒素に加え、任意のプロセスガスパージ環境に対応させるオプションを装備可能。 様々なプロセスガスパージ環境での高速アニールを可能にします。 ▶クリーンルームや実験室の中で使いやすい ・フットプリント約500 x 525mmの省スペース設計 業界最小サイズを実現。限られた実験室内も有効活用できます。 ・実験データは外部メディアに自動保存 各種データ（チャンバー内温度推移・真空度推移・プロセスガス流入量など）は外部メディアや、ネットワーク上の サーバーに自動保存できます。 ・タッチパネルコントローラー標準装備 外付けPCが不要なのでクリーンルームでも扱いやすい上、複雑な温度プロファイルも指一本で簡単に設定できま す。 ・装置筐体部にウォータージャケット標準装備 運転時でも筐体表面は熱くならず、安全面にも配慮しました。 ●製品ラインナップ ▶RTP-100 ▶VPO-1000-300 ・対応ウエハー径 ・対応ウエハー径 Φ4インチ Φ12インチ ・最大到達温度 ・最大到達温度 1200℃ 1000℃ ・最大昇温速度 ・最大昇温速度 150K/秒 40K/秒 ・開閉方式 ・開閉方式 フロントローディング式 トップローディング式 装置サイズ：505 x 505 x 570 mm (WxDxH) 装置サイズ：505 x 505 x 830 mm (WxDxH) 装置重量 :約55 kg 装置重量 :約105 kg

Reflow Solder System with Touch Panel ● RTP/VPOシリーズ テクニカルデータ⼀覧 RTP-100 RTP-150 VPO-1000-300 有効加熱エリア 100 mm x 100 mm x 18mm 156 mm x 156 mm x 40 mm 300 mm x 300 mm x 50 mm 最⼤到達温度 1200℃ 1000℃ 1000℃ 最⼤昇温速度 9000 K / 分 以上（150 K / 秒 以上） 4500 K / 分 以上（75 K / 秒 以上） 2400 K / 分 以上（40 K / 秒 以上） 加熱⽅式 上部・下部 ⾚外（IR）ヒーター（放射熱⽅式） 上部・下部 ⾚外（IR）ヒーター（放射熱⽅式） 上部・下部 ⾚外（IR）ヒーター（放射熱⽅式） 最⼤降温速度 190 K / 分（1200〜400℃） 25 K /分（400〜100℃） 190 K / 分（1000〜400℃） 25 K /分（400〜100℃） 190 K / 分（1000〜400℃） 25 K /分（400〜100℃） 冷却⽅式 窒素ガスパージ⽅式 窒素ガスパージ⽅式 窒素ガスパージ⽅式 耐久真空度 0.1 Pa（10-3 hPa） 0.1 Pa（10-3 hPa） 0.1 Pa（10-3 hPa） ガス供給ライン 1系統 MFC（マスフローコントローラ）※最⼤4系統装備可能 1系統 MFC（マスフローコントローラ）※最⼤4系統装備可能 1系統 MFC（マスフローコントローラ）※最⼤4系統装備可能 装置コントローラ 7インチ タッチパネルコントローラ（SIMATIC製 SPSコントローラ） 7インチ タッチパネルコントローラ（SIMATIC製 SPSコントローラ） 7インチ タッチパネルコントローラ（SIMATIC製 SPSコントローラ） 温度プロファイルプログラム 最⼤50ステップ（セグメント） 最⼤50ステップ（セグメント） 最⼤50ステップ（セグメント） プログラム登録可能数 最⼤50プログラム 最⼤50プログラム 最⼤50プログラム テストデータ保存先 USBメモリー USBメモリーカード USBメモリーカード（タッチパネルコントローラにUSBメモリースロット装備） （タッチパネルコントローラにUSBメモリースロット装備） （タッチパネルコントローラにUSBメモリースロット装備） 外部インターフェース Ethernetインターフェース（LANに接続可） Ethernetインターフェース（LANに接続可） Ethernetインターフェース（LANに接続可） 電源仕様 2 x 三相 200V 50/60Hz 最⼤40 A（合計 80 A） 2 x 三相 200V 50/60Hz 最⼤40 A（合計 80 A） 2 x 三相 200V 50/60Hz 最⼤50 A（合計 100 A） 「オプション構成」 CAB ユニバーサルヒートエクスチェンジャー⽤キャビネット ユニバーサルヒートエクスチェンジャー⽤キャビネット ユニバーサルヒートエクスチェンジャー⽤キャビネット HT --- 最⼤到達温度1,200℃ 最⼤到達温度1,200℃ PC ダブルチャンバーオプション ダブルチャンバーオプション ダブルチャンバーオプション GP --- --- 3mm厚グラファイト製プレート（SiCコーティング可） Lift Pins --- --- リフトピンオプション H2 ⾼濃度⽔素ガス⽤モジュール（H2⽤MFC 1個含む） ⾼濃度⽔素ガス⽤モジュール（H2⽤MFC 1個含む） ⾼濃度⽔素ガス⽤モジュール（H2⽤MFC 1個含む） H2S H2⽤安全対策オプション（H2装備時には、必ず必要） H2⽤安全対策オプション（H2装備時には、必ず必要） H2⽤安全対策オプション（H2装備時には、必ず必要） MFC 追加ガスライン⽤マスフローコントローラ 追加ガスライン⽤マスフローコントローラ 追加ガスライン⽤マスフローコントローラ※標準装備のものを含め、合計4ラインまで ※標準装備のものを含め、合計4ラインまで ※標準装備のものを含め、合計4ラインまで MM チャンバー内湿度測定⽤センサー チャンバー内湿度測定⽤センサー チャンバー内湿度測定⽤センサー OxAtAn 残留酸素濃度測定オプション（※H2オプションとの同時装備不可） 残留酸素濃度測定オプション（※H2オプションとの同時装備不可） 残留酸素濃度測定オプション（※H2オプションとの同時装備不可） PT 3⾊（⾚、⻩、緑）パトライトオプション 3⾊（⾚、⻩、緑）パトライトオプション 3⾊（⾚、⻩、緑）パトライトオプション SW スイッチボックスオプション スイッチボックスオプション スイッチボックスオプション TCⅠ 追加熱電対オプション 追加熱電対オプション 追加熱電対オプション TCⅡ データロギング機能付き追加熱電対オプション データロギング機能付き追加熱電対オプション データロギング機能付き追加熱電対オプション VACⅠ・Ⅱ（not for HV） ピラニ型真空度センサオプション ピラニ型真空度センサオプション ピラニ型真空度センサオプション（VACⅠ︓3hPaまで、VACⅡ:10-3 hPaまで測定可） （VACⅠ︓3hPaまで、VACⅡ:10-3 hPaまで測定可） （VACⅠ︓3hPaまで、VACⅡ:10-3 hPaまで測定可） EP --- ⾼速昇温オプション（150K/秒） --- HV 超⾼真空オプション（10-4 Pa） 超⾼真空オプション（10-4 Pa） 超⾼真空オプション（10-4 Pa） 「真空ポンプ・チラー」 RVP 真空ポンプ 真空到達度 1 Pa ロータリー式 真空ポンプ 真空到達度 1 Pa ロータリー式 真空ポンプ 真空到達度 1 Pa ロータリー式 真空ポンプ RVP-C 真空ポンプ 真空到達度 1 Pa 耐腐⾷性 ロータリー式真空ポンプ 真空到達度 1 Pa 耐腐⾷性 ロータリー式真空ポンプ 真空到達度 1 Pa 耐腐⾷性 ロータリー式真空ポンプ MP 真空ポンプ 真空到達度 200 Pa メンブラン式 真空ポンプ 真空到達度 200 Pa メンブラン式 真空ポンプ 真空到達度 200 Pa メンブラン式 真空ポンプ MP-C 真空ポンプ 真空到達度 200 Pa 耐腐⾷性 メンブラン式真空ポンプ 真空到達度 200 Pa 耐腐⾷性 メンブラン式真空ポンプ 真空到達度 200 Pa 耐腐⾷性メンブラン式真空ポンプ HVP ターボ分⼦真空ポンプ ※真空到達度 10-4 hPa ターボ分⼦真空ポンプ ※真空到達度 10-4 Pa ターボ分⼦真空ポンプ ※真空到達度 10-4 Pa WC III-R チラー --- --- 5.3 kW 冷却器付きチラー WC I チラー 1.2 kW 冷却器付きチラー 1.2 kW 冷却器付きチラー --- ●掲載製品のお問合せ先 ユニテンプジャパン株式会社 〒194-0013 東京都町⽥市原町⽥2-6-13 ベルストーク1 2階 TEL : 042-860-7890 / FAX : 050-3730-8404 https://www.unitemp.jp/ メールでのお問合せ : sales@unitemp.jp