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ボイド残留・フラックス残渣問題解決のご提案【ユニテンプの卓上型真空はんだリフロー装置】

製品カタログ

ギ酸還元方式で改善できる品質・コスト・環境の3つの面

〜〜〜〜フラックス腐食・ボイド残留がなぜ問題なのか?〜〜〜〜

【ボイド残留】
従来のはんだリフローでは、はんだ材料内のフラックスが抜けきらず接合終了後のはんだ内に「ボイド」となって取り残されてしまう状態になってしまうことがありました。
これを放置してしまうと、接合強度の劣化や導通性に問題を生じさせるだけでなく、将来的にはんだ面から部品が脱落してしまったり、クラック発生の原因となる可能性があります。
またヒートシンクのはんだ接合など、放熱性を重視する必要のあるアプリケーションの場合、ボイド部分の熱伝導率が著しく低下し、設計どおりの放熱効果を得られずにデバイスが熱破壊を起こす原因になることが考えられます。

【フラックス残渣問題】
フラックス入りのはんだを利用したはんだリフローでは、フラックスが銅表面に発生した酸化膜を取り除く効果や表面張力低減効果などが期待されるため、はんだリフロー時の温度を正しく設定することができれば、比較的簡単にはんだ実装を行うことができます。
しかし!フラックスを使用すると、フラックスはんだ面、基板表面、部品表面などに付着したまま、リフロープロセスが終了してしまう場合があります。これをそのまま放置してしまうとフラックスの腐食効果により、部品の脱落やはんだ部の接続不良など、様々な問題の原因となる可能性があります。
そのため、フラックス入りはんだを用いたはんだリフロー後には、フラックス残渣を除去するための洗浄を行うことが一般的です。
しかし!フラックス残渣が完全になくなるまで洗浄を行うことができればほとんど問題になることはないものと思いますが、フレキシブル基板のように基板材質が変化したり、モジュール化などが進むことによって構造が複雑になってくると洗浄液が隅々にまで行き渡らない可能性が増加し、フラックス残渣の心配を抱えることにつながりかねません。

ユニテンプジャパンは上記2つの問題に対して「ギ酸還元方式」の真空はんだリフロー装置で解決のご提案を致します!

〜〜〜〜「水素還元方式」と「ギ酸還元方式の概要」〜〜〜〜

【水素還元方式】
水素還元方式は比較的古くから行われている還元方式の一つです。
リフロープロセス実行時、まずチャンバー内の空気を真空引きなどにて空の状態にします。チャンバー内に酸素が残った状態のまま高濃度の水素ガスを流入すると水素と酸素が反応し、爆発事故を起こす可能性があるためです。
水素還元方式では、水素の還元効果を早めるためにチャンバー内の温度環境を約300℃程度まで昇温する必要があることに加え、爆発の危険性があるため、比較的大掛かりな安全装置構成が必要になります。
しかしながら、フラックスがないはんだ材料を使用しても、キレイなはんだ濡れ性を確保することができるため、フラックス残渣に悩まされることから解放されます。

【ギ酸還元方式】
基板のパターン上に形成されている「酸化膜(CuO)」に「ギ酸ガス(HCOOH)」が触れると、酸化膜から酸素を奪い取る
「還元」反応が起こります。この結果、酸化膜はキレイに除去された銅面となり、また一方で酸素を奪い取ったギ酸は、H2OとCO2に変化することになります。
この時に発生するH2Oは、大気に含まれている水成分よりも少ないため、チャンバー内部がウェット状態になることはありません。H2OもCO2も元々大気中に含まれている成分ですので、環境を破壊することなく、クリーンなリフローを行うことができます。

※ユニテンプジャパンの卓上型真空はんだリフロー装置は水素還元・ギ酸還元の両対応です。

なぜ「水素還元方式」ではなく「ギ酸還元方式」なのか。
「真空引き併用」によるボイド残留問題、「ギ酸還元方式」によるフラックス残渣問題の解決方法。

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このカタログについて

ドキュメント名 ボイド残留・フラックス残渣問題解決のご提案【ユニテンプの卓上型真空はんだリフロー装置】
ドキュメント種別 製品カタログ
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取り扱い企業 ユニテンプジャパン株式会社 (この企業の取り扱いカタログ一覧)

このカタログの内容

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ユニテンプ製品カタログ FLUX FREE VOID FREE
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Reflow Solder System ●ボイド残留問題への対応提案  真空リフローによる解決 チャンバー内温度推移と真空引き例 従来のはんだリフローでは、はんだ材料内のフラックス が抜けきらずに接合終了後のはんだ内に「ボイド」と 200 1200 なって取り残された状態になってしまうことがありました。 180 160 1000 これを放置してしまうと、接合強度の劣化や導通性 140 能に問題を生じさせるだけでなく、将来的にはんだ面 800120 から部品が脱落してしまったり、クラック発生の原因と なる可能性があります。 100 600 80 400 また、ヒートシンクのはんだ接合など、熱特性を重視 60 する必要のあるアプリケーションの場合、ボイド部分の 40 200 熱伝導率が著しく低下し、設計通りの放熱効果を 20 得られずにデバイスが熱破壊を起こす原因になること 0 0 が考えられます。 TEMP T1[ーC] Pressure[hPa] そこで UniTemp社 の卓上型真空はんだリフロー 装置では、バッチ式リフロー措置の特性を生かし、 はんだ融点温度以上の温度領域でチャンバー内の 真空引き(減圧)を行い、溶融中のはんだ内から ボイドが外部に逃げやすくする方法をご提案して います。 減圧なし 減圧あり ボイド残り大 ボイド残り少 ●フラックス残差問題への対応提案  フラックスの効果と問題点 フラックス入りのはんだを利用したはんだリフローでは、フラックスが銅表面に発生した酸化膜を取り除く 効果や表面張力低減効果などが期待されるため、はんだリフロー時の温度設定を正しく設定すること ができれば、比較的簡単にはんだ実装を行うことができます。 しかしながらフラックスを使用すると、フラックスがはんだ面、基板表面、部品表面などに付着したまま、 リフロープロセスが終了してしまう場合があります。これをそのまま放置してしまうとフラックスの腐食効果 により、部品の脱落やはんだ部の接続不良など、様々な問題の原因となる可能性があります。 そのため、フラックス入りはんだを用いたはんだリフロー後には、フラックス残差を除去するための洗浄を フラックス残差例 行うことが一般的です。 左写真は、フラックス入りはんだでリフローを行った後のフラックス残差を洗浄により除去したものです。 このように、フラックス残差が完全になくなるまで洗浄を行うことができればほとんど問題になることはあり ませんが、フレキシブル基板のように基板材質が変化したり、モジュール構造化などが進み、 構造が複雑になると洗浄液が隅々まで行き渡らない可能性が増加し、フラックス残渣のリスクを抱え 洗浄前 洗浄後 ることにつながりかねません。  還元方式による、フラックス残差なしの解決方法 【水素還元方式】 H2 H2 H2 H2O H2O H2O CuO CuO CuO Cu Cu Cu 水素還元方式は、比較的古くから行われている還元方式の一つです。 リフロープロセス実行時、まずチャンバー内の空気を真空引きなどで空の状態に します。チャンバー内に酸素が残った状態のまま高濃度の水素ガスを流入すると 水素と酸素が反応し、爆発事故を起こす可能性があるためです。 水素還元方式では、水素の還元効果を早めるためにチャンバー内を 約300℃まで昇温させる必要がある上、爆発の危険性があるため、 右写真の例のように、比較的大掛かりな装置構成が必要になります。 しかしながら、フラックスがないはんだ材料を使用しても、きれいなはんだ濡れ性を 水素還元オプション装置構成例 確保することができるため、フラックス残差に悩まされることから解放されます。
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Reflow Solder System ●ギ酸還元方式の優位性  ギ酸還元時の反応 【ギ酸の反応イメージ】 HCOOH HCOOH HCOOH H2O + CO2 H2O + CO2 H2O + CO2 CuO CuO CuO Cu Cu Cu 基板のパターン上に形成されている「酸化膜(CuO)」に「ギ酸ガス(HCOOH)」が触れると、酸化膜から酸素を奪い取る「還元」 反応が起こります。この結果、酸化膜はきれいに除去された銅面となり、また一方で酸素を奪い取ったギ酸は、H2OとCO2に変化する ことになります。 この時に発生するH2Oは、大気に含まれている水成分よりも少ないため、チャンバー内部がウエット状態になることはありません。H2Oも CO2も元々大気中に大量に含まれている成分ですので、環境を破壊することなく、クリーンなリフローを行っていただくことができます。  水素還元との違い 【ギ酸還元と水素還元の比較】  フラックスフリーの可能性 【ギ酸による還元効果の例】 フラックス成分は、はんだリフローにとってとても便利な材料です。 銅パターン上に酸化膜が存在していても、フラックスがその酸化 膜を破ってくれるので、温度プロファイル管理のみを行えば、 比較的簡単にどなたでもはんだりふろーを行っていただくことが できます。 しかし! フラックス残渣が発生してしまうと、状況は一変します。 ギ酸還元前 ギ酸還元後 時間の経過とともにフラックス残渣が、腐食や劣化を引き起こす 可能性があるため、フラックス残渣除去のための洗浄工程が ギ酸による還元はとても効果的です。銅パターン上にある酸化膜 欠かせません。また、洗浄廃液の適切な処理などが必要になる から、効果的に酸素を奪い取ることにより、酸化膜を完全に除去 ことを考慮すると、フラックスを使用しないリフロー方式が、いかに することができますので、フラックスレスはんだが容易に濡れ性を 環境を考慮したプロセスであるのか、容易にご理解いただけるの 確保できるようになります。 ではないでしょうか。 酸素を奪い取ったギ酸(HCOOH)は、H2OとCO2に変化して ギ酸還元方式が万能であるわけではありません。しかしながら、 排気されます。H2OもCO2も大気中に存在している成分ですので、 フラックスを使用したはんだリフロープロセスに問題を抱えている 環境を破壊することなく、「ギ酸還元リフロー」を行うことができます。 のであれば、十分に検討に値する技術であると言えます。
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Reflow Solder System VSS series タッチパネル式 ギ酸ガス・水素ガス還元両対応真空はんだリフロー装置 試作開発用途の他、搬送ロボット、ローダー・アンローダーとの組み合わせ可能 ●モデル VSS-450-300 の特⾧ N2・H2・ギ酸対応・真空リフロー フラックスフリー/フラックス入りはんだ対応 1. 最大到達温度450℃(650℃) 装置筐体部の冷却機構を標準装備。安全に配慮しながら 最大到達温度450℃を実現します。そのためはんだリフロー として利用するだけでなく、ペースト材料などの焼結テストに も余裕で対応します。 ※ 650℃対応モデルもございます 2. 高速昇温/降温に対応 高速赤外(IR)ヒーターを装備し、最大毎分150℃以上(毎秒 2.5℃以上)の高速昇温を行うことができます。またオプションの 上部IRヒーターモジュール搭載時には圧倒的なパフォーマンス を発揮します。もちろん、プロファイルプログラム指示値による 任意の昇温速度で昇温させることもできますので、任意の温度 プロファイルで動作させることが可能です。 また、高速降温を実現するための「水冷システム」を標準装備。 高品質なはんだリフローに要求される、温度制御コントロールを 簡単に実現できるほか、連続運転時の待ち時間を大幅に短縮 することができます。 3. 多彩なリフロー環境に対応 大気リフロー、真空リフロー、窒素ガスパージリフロー、また その組み合わせに標準装置で対応するだけでなく、オプションの ギ酸ガスモジュール、高濃度水素ガスモジュールを追加装備する ことで、フォーミングガス(水素ガス+窒素ガス)パージ環境、 ギ酸ガスパージ環境、高濃度水素ガスパージ環境のすべてに これ1台で対応することができます。 4. 簡単温度プロファイル設定 装置サイズ:550 x 690 x 830 mm (WxDxH) 7インチタッチパネルを標準搭載。別途外部PCを必要とせず、 装置重量:約105 kg タッチパネル上で任意の制御プロファイルプログラムの作成、 保存が可能です。最大50ステップの温度制御プログラムを、 50プログラム登録、実行することができます。また、SDメモリー カードへの実験データ保存機能を標準搭載。SDメモリーカード 経由で、任意のPCに実験データを移動することも簡単です。 ● VSSタッチパネル画面例 ● VSS加熱プレート概要
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Reflow Solder System VSS series ●モデル VSS-450-300 テクニカルデータ 項目 仕 様 加熱プレートサイズ 310 mm x 310 mm x 50 mm ※VSS-EHオプション搭載時:高さ 120 mm 最大到達温度 450℃ ※ VSS-ETオプション装備時:650℃ 最大昇温速度 150K / 分 以上 ※ 上部IRヒーターモジュール搭載時:180 K / 分 以上 加熱方式 赤外(IR)ヒーター(放射熱方式) 最大降温速度 90K / 分 冷却方式 アクティブ水冷方式 耐久真空度 0.1 Pa(10-3 hPa) ※ VSS-HVオプション装備時:10-4 Pa(10-6 hPa) ガス供給ライン 1系統 MFC(マスフローコントローラ)標準装備 ※ 最大3系統追加可能(合計4系統) 装置コントローラ 7インチ タッチパネルコントローラ(SIMATIC製 SPSコントローラ) 温度プロファイルプログラム 最大50ステップ(セグメント) プログラム登録可能数 最大50プログラム テストデータ保存先 USBメモリー、SDメモリーカード(タッチパネルコントローラにSDメモリーカードスロット装備) 外部インターフェース Ethernetインターフェース(LANに接続可) 電源仕様 三相 200V 50/60Hz 最大 40 A(上部IRヒーター装備時には、2 x 40 A(80 A)) ●モデル VSS-450-300 の主なオプション オプション 仕 様 SW(標準装備仕様) 真空ポンプ電源自動ON/OFF制御機能※必須 VACII(標準装備仕様) チャンバー内真空度測定・記録機能及びピラニ型真空度センサ※必須 EP 上部IRヒーターモジュール 電源仕様:三相200V、80A) QP 上部IRヒーターモジュールセパレート用石英ガラス板 EH チャンバー高さ120mm ET 最大到達温度650℃ FAIII 内蔵ギ酸還元モジュール(標準の窒素ガス供給とMFC共用) FAII 内蔵ギ酸還元モジュール(標準の窒素ガス供給とMFC別系統) FAI 外付ギ酸還元モジュール(標準の窒素ガス供給とMFC別系統) FA-T ギ酸ガス除去用ケミカルフィルター FT フラックストラップフィルター H2・H2S 高濃度水素ガス供給システム及び安全対策オプション IL チャンバー蓋インターロック(標準装備) MFC 追加プロセスガス供給用マスフローコントローラ(合計4系統) TCII 対象物温度測定・記録用追加熱電対(合計1本) MM チャンバー内湿度測定・記録機能及び湿度測定センサ OxAtAn チャンバー内残留酸素濃度測定・記録機能及び残留酸素濃度測定センサ PT 3色パトライト(赤・黄・緑) HV 高真空対応チャンバー10-4Pa(10-6hPa)及びターボ分子ポンプ LP 対象物持ち上げ用リフトピン SI 外部機器通信用シリアル通信機能 RC チャンバー蓋開閉用リモート制御機能
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Reflow Solder System with Touch Panel タッチパネル搭載RVSシリーズ タッチパネル搭載多機能はんだリフロー装置 ●タッチパネル搭載 RVSシリーズの特⾧ 大気、窒素、真空、ギ酸、水素などの各リフローに1台で対応! ● 通常のリフローに加えて、鉛フリー、ボイドレス、フラックスレスなどの各リフローが可能 1. 最大到達温度400℃ はんだリフロー装置としては余裕の最大到達温度400℃に標準対応。熱容量の 大きな部品でも、ゆとりをもってはんだ融点温度に到達させることができるほか、 高融点はんだも問題なく使用することができます。装置筐体部の水冷冷却機構を 標準装備、チャンバー内が高温でも、筐体は常に安全な温度を保ちます。 2. 高速昇温/降温に対応 高速赤外(IR)ヒーターを装備し、最大毎分120℃(毎秒2℃)の高速昇温を 行うことができるほか、リフロープログラムの指示値による任意の昇温速度で昇温 させることも可能です。また、高速降温を行うための「水冷システム」を標準装備。 高品質なはんだリフローに要求される温度制御を簡単に実現するほか、 連続運転時の待ち時間を大幅に短縮することができます。 3. 多彩なリフロープロファイル設定が可能 RVSシリーズに標準添付されているタッチパネルでは、経過時間や到達温度による トリガー設定に加え、チャンバー内の真空到達度や戻り内圧状態をトリガーとして 利用することが可能です。タッチパネルには最大50セグメント(行)までのプログラムを 50個登録することができるほか、USBメモリースティックへの書き出し(エクスポート)や、 読み込み(インポート)ができます。 4. のぞき窓を標準装備 チャンバー上部にのぞき窓を標準装備して いますので、リフロー中の対象物を観察する ことができるほか、CCDカメラなどを使用して、 写真やビデオ撮影をすることができます。 減圧下リフローでボイドを除去 還元ガス (ギ酸や水素) により、はんだの濡れ性 を確保することで、より一層のボイドを除去します 装置寸法、重量:670 x 544 x 320 mm (W x D x H)、約45 kg ●RVSシリーズの標準ハードウエア仕様 ● 対応基板サイズ :200 mm x 200 mm ● チャンバー材質 :アルミ製チャンバー ● チャンバー高さ :標準 50 mm ● チャンバー耐真空度 :最大 0.1 Pa(10-3 hPa) ※ HVオプション装備時:10-4 Pa ● チャンバー内寸法 :300 mm x 300 mm x 50 mm (W x D x H) ● 最大到達温度 :最大 400℃ ● 面内温度精度 :設定温度の ±1% ● 加熱方式 :赤外線(IR)ヒーター方式 ● 最大昇温速度 :120 K/min.(約 2℃/sec.) ● 最大降温速度 :120 K/min.(約 2℃/sec.) ※ 400℃~200℃ 間 ● 装置寸法、重量 :670 mm x 544 mm x 320 mm (W x D x H)、約 45 kg ● 装置電源仕様 :三相、200 V、50/60 Hz、25 A
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Reflow Solder System with Touch Panel ●タッチパネル制御ソフトウエア タッチパネルを使用した、多彩なプログラム設定が可能! 従来の、時間軸に対する温度設定や昇温速度設定のみならず、チャンバー内部の 真空度をトリガーとしたプロファイルプログラムにも対応しますので、幅広い条件設定を 実現することができます。 チャンバー内の温度や真空度のリアルタイムモニターを装備し、チャンバー内の状態を 常に把握数rことができます。 窒素などのプロセスガスラインにはマスフローコントローラを標準装備し、プログラムの ステップごとに、異なったガス流量を設定することが可能です。 プロセスプログラム終了後は、温度変化、チャンバー内の真空度変化、チャンバー内 へのプロセスガスの流量など、すべてのデータをCSV形式で保存可能です。 装置起動後に表示される「ホーム画面」から、各種設定画面に移行することができ、 必要な設定を簡単に行うことができます。 またこのホーム画面から、プロファイルプログラムの選択、プログラムの実行を行うことが できるほか、プロファイルプログラムの修正や、新たなプロファイルプログラムの作成を行う 画面にもスムースに移行数rことができます。 ●RVSシリーズの多彩なオプション オプション 仕 様 SW(標準装備仕様) 真空ポンプ電源自動ON/OFF制御機能※必須 VACII(標準装備仕様) チャンバー内真空度測定・記録機能及びピラニ型真空度センサ※必須 EH チャンバー高さ80mm FAIII 内蔵ギ酸還元モジュール(標準の窒素ガス供給とMFC共用) FAII 内蔵ギ酸還元モジュール(標準の窒素ガス供給とMFC別系統) FAI 外付ギ酸還元モジュール(標準の窒素ガス供給とMFC別系統) FA-T ギ酸ガス除去用ケミカルフィルター FT フラックストラップフィルター H2・H2S 高濃度水素ガス供給システム及び安全対策オプション IL チャンバー蓋インターロック MFC 追加プロセスガス供給用マスフローコントローラ(合計4系統) TCII 対象物温度測定・記録用追加熱電対(合計3本) MM チャンバー内湿度測定・記録機能及び湿度測定センサ OxAtAn チャンバー内残留酸素濃度測定・記録機能及び残留酸素濃度測定センサ PT 3色パトライト(赤・黄・緑) HV 高真空対応チャンバー10-4Pa(10-6hPa)及びターボ分子ポンプ
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Reflow Solder System with Touch Panel タッチパネル搭載 Sシリーズ タッチパネル搭載多機能はんだリフロー装置 ●タッチパネル搭載 モデル RSS-210-Sの特⾧ 大気、窒素、真空、ギ酸、水素などの各リフローに1台で対応! ● 通常のリフローに加えて、鉛フリー、ボイドレス、フラックスレスなどの各リフローが可能 1. 最大到達温度 500℃(オプション装備時) はんだリフロー装置としては余裕の最大到達温度400℃に標準対応。 オプションの RSS-210-HT 装備時には、最大到達温度 500℃ に対応。 熱容量の大きな部品でも余裕もってはんだ融点温度に到達させることが できるほか、高融点はんだや銀ナノ / 銅ナノペーストの焼結も問題なく行う ことができます。装置筐体部の水冷冷却機構を標準装備、チャンバー内が 高温でも、筐体は常に安全な温度を保ちます。 2. 高速昇温/降温に対応 高速赤外(IR)ヒーターを装備し、最大毎分240℃(毎秒4℃)の高速昇温 を行うことができるほか、リフロープログラムの指示値による任意の昇温速度で 昇温させることも可能です。また、高速降温を行うための「水冷システム」を 標準装備。高品質なはんだリフローに要求される温度制御を簡単に実現 するほか、連続運転時の待ち時間を大幅に短縮することができます。 3. 多彩なリフロープロファイル設定が可能 モデル RSS-210-S に標準添付されているタッチパネルでは、 経過時間や到達温度によるトリガー設定に加え、チャンバー内の 真空到達度や戻り内圧状態をトリガーとして利用することが可能 です。タッチパネルには最大50セグメント(行)までのプログラムを 50個登録することができるほか、USBメモリーやSDカードへの書き 出し(エクスポート)や、読み込み(インポート)ができます。 減圧下リフローでボイドを除去 還元ガス (ギ酸や水素) により、はんだの濡れ性 を確保することで、より一層のボイドを除去します 装置寸法、重量:430 x 295 x 290 mm (W x D x H)、約22kg ●モデル RSS-210-S の標準ハードウエア仕様 ● 加熱プレートサイズ :210 mm x 210 mm (W x D) ● 対応基板サイズ :200 mm x 200 mm (W x D) ● チャンバー材質 :アルミ製チャンバー ● チャンバー高さ :標準 40 mm ● チャンバー耐真空度 :最大 0.1 Pa(10-3 hPa) ● 最大到達温度 :最大 400℃ ※ RSS-210-HT オプション装備時は、500℃ ● 面内温度精度 :設定温度の ±1% ● 加熱方式 :赤外線(IR)ヒーター方式 ● 最大昇温速度 :240 K/min.(約 4℃/sec.) ● 最大降温速度 :120 K/min.(約 2℃/sec.) ※ 400℃~200℃ 間 ● 装置寸法、重量 :430 mm x 295 mm x 290 mm (W x D x H)、約 22 kg ● 装置電源仕様 :三相、200 V、50/60 Hz、20 A
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Reflow Solder System with Touch Panel ●タッチパネル制御ソフトウエア タッチパネルを使用した、多彩なプログラム設定が可能! 従来の、時間軸に対する温度設定や昇温速度設定のみならず、チャンバー内部の 真空度をトリガーとしたプロファイルプログラムにも対応しますので、幅広い条件設定を 実現することができます。 チャンバー内の温度や真空度のリアルタイムモニターを装備し、チャンバー内の状態を 常に把握数rことができます。 窒素などのプロセスガスラインにはマスフローコントローラを標準装備し、プログラムの ステップごとに、異なったガス流量を設定することが可能です。 プロセスプログラム終了後は、温度変化、チャンバー内の真空度変化、チャンバー内 へのプロセスガスの流量など、すべてのデータをCSV形式で保存可能です。 装置起動後に表示される「ホーム画面」から、各種設定画面に移行することができ、 必要な設定を簡単に行うことができます。 またこのホーム画面から、プロファイルプログラムの選択、プログラムの実行を行うことが できるほか、プロファイルプログラムの修正や、新たなプロファイルプログラムの作成を行う 画面にもスムースに移行数rことができます。 ●モデル RSS-210-Sの多彩なオプション オプション 仕 様 SW(標準装備仕様) 真空ポンプ電源自動ON/OFF制御機能※必須 VACII(標準装備仕様) チャンバー内真空度測定・記録機能及びピラニ型真空度センサ※必須 EH チャンバー高さ80mm HT 最大到達温度500℃ FAIII 内蔵ギ酸還元モジュール(標準の窒素ガス供給とMFC共用) FAII 内蔵ギ酸還元モジュール(標準の窒素ガス供給とMFC別系統) FAI 外付ギ酸還元モジュール(標準の窒素ガス供給とMFC別系統) FA-T ギ酸ガス除去用ケミカルフィルター FT フラックストラップフィルター H2・H2S 高濃度水素ガス供給システム及び安全対策オプション IL チャンバー蓋インターロック MFC 追加プロセスガス供給用マスフローコントローラ(合計3系統) TCII 対象物温度測定・記録用追加熱電対(合計1本) OxAtAn チャンバー内残留酸素濃度測定・記録機能及び残留酸素濃度測定センサ PT 3色パトライト(赤・黄・緑)
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Reflow Solder System with Touch Panel タッチパネル搭載多機能はんだリフロー装置 大気、窒素、真空、ギ酸、水素などの各リフローに1台で対応! ● 通常のリフローに加えて、鉛フリー、ボイドレス、フラックスレスなどの各リフローが可能 ●タッチパネル搭載 RSSシリーズ ●モデルRSS-110-S標準ハードウエア仕様 ● 加熱有効エリア :110 mm x 110 mm ● チャンバー高さ :標準 40 mm(オプション時 80 mm) ● 温度制御範囲 :室温~400℃(オプション時 500℃) ● 最大昇温速度 :120 K/min.(約 95℃/min.) ● 最大降温速度 :240 K/min. ※ 400~200℃ 間 ● インターフェース :Ethernet / USB ● タッチパネル :SIMATIC 7インチタッチパネル ● のぞき窓 :Φ 60 mm のぞき窓標準装備 ● 温度制御プログラム:50セグメント、50プログラム保存可 ● 装置寸法 :260 x 420 x 220 mm (WxDxH) ● 装置重量 :約 10 kg ● 装置電源仕様 :単相、200 V または、単相、100 V ●モデルRSS-110-Sオプションリスト ● RSS-EH :チャンバー高さ 80 mm オプション ● RSS-FA I :外付けギ酸還元ガスモジュール ● RSS-IL :インターロックオプション ● RSS-TC II :追加熱電対オプション ● RSS-RVP-C :耐腐食性ロータリー式真空ポンプ ● RSS-WC I :1.2 kW冷却器付き冷却水循環ユニット ●モデルRSS-160-S標準ハードウエア仕様 ● 加熱有効エリア :160 mm x 160 mm ● チャンバー高さ :標準 40 mm(オプション時 80 mm) ● 温度制御範囲 :室温~400℃(オプション時 500℃) ● 最大昇温速度 :100 K/min.(約 85℃/min.) ● 最大降温速度 :100 K/min. ※ 400~200℃ 間 ● インターフェース :Ethernet / USB ● タッチパネル :SIMATIC 7インチタッチパネル ● のぞき窓 :Φ 60 mm のぞき窓標準装備 ● 温度制御プログラム:50セグメント、50プログラム保存可 ● 装置寸法 :300 x 420 x 220 mm (WxDxH) ● 装置重量 :約 12 kg ● 装置電源仕様 :単相、200 V または、三相、200 V ●モデルRSS-160-Sオプションリスト ● RSS-EH :チャンバー高さ 80 mm オプション ● RSS-FA III :ギ酸還元ガスモジュール ● RSS-IL :インターロックオプション ● RSS-TC II :追加熱電対オプション ● RSS-RVP-C :耐腐食性ロータリー式真空ポンプ ● RSS-WC I :1.2 kW冷却器付き冷却水循環ユニット
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Reflow Solder System with Touch Panel Reflow Solder System with Touch Panel タッチパネル搭載多機能はんだリフロー装置 製品ラインアップ ●タッチパネル搭載 RSSシリーズ ●モデルRSS-3x210-S 標準ハードウエア仕様 ● 加熱有効エリア :630 mm x 210 mm ● チャンバー高さ :標準 40 mm ● 温度制御範囲 :室温~300℃ ● 最大昇温速度 :120 K/min.(約 95℃/min.) ● 最大降温速度 :90 K/min. ※ 300~200℃ 間 ● インターフェース :Ethernet / USB ● タッチパネル :SIMATIC 7インチタッチパネル ● のぞき窓 :Φ 60 mm のぞき窓標準装備 ● 温度制御プログラム:50セグメント、50プログラム保存可 ● 装置寸法 :820 x 630 x 315 mm (WxDxH) ● 装置重量 :約 100kg ● 装置電源仕様 :単相、200 V または、単相、100 V ●モデルRSS-3x210-S オプションリスト ● RSS-FA III :ギ酸還元ガスモジュール ● RSS-IL :インターロックオプション ● RSS-TC II :追加熱電対オプション ● RSS-RVP-C :耐腐食性ロータリー式真空ポンプ ● RSS-WC III :5.3 kW冷却器付き冷却水循環ユニット ●タッチパネル搭載 RSOシリーズ ●モデルRSO-200標準ハードウエア仕様 ● 加熱有効エリア :160 mm x 160 mmグラファイト製プレート ● チャンバー高さ :標準 40 mm ● 温度制御範囲 :室温~650℃ ● 最大昇温速度 :600 K/min.(約 85℃/min.) ● 最大降温速度 :200 K/min. ※ 650~400℃ 間 ● インターフェース :Ethernet / USB ● タッチパネル :SIMATIC 7インチタッチパネル ● のぞき窓 :Φ 60 mm のぞき窓標準装備 ● 温度制御プログラム:50セグメント、50プログラム保存可 ● 装置寸法 :505 x 505 x 570 mm (WxDxH) ● 装置重量 :約 55 kg ● 装置電源仕様 :単相、200 V または、三相、200 V ●モデルRSO-200オプションリスト ● RSS-FA III :ギ酸還元ガスモジュール ● RSS-IL :インターロックオプション ● RSS-TC II :追加熱電対オプション ● RSS-RVP-C :耐腐食性ロータリー式真空ポンプ ● RSS-WC III :5.3 kW冷却器付き冷却水循環ユニット
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Micro Scope AZ9 Series 10X光学ズームマイクロスコープAZ9T/AZ9C ● AZ9T/AZ9C 製品概要 オプション新登場!チャンバー内のリアルタイム観察・記録が可能なマイクロスコープです。 作動距離(WD)90mm 光学10倍ズーム 分解能3μmを実現。 リフロー本体の石英ガラス製のぞき穴 (10mm厚) を透過しても、シャープかつクリアに見えます。 AZ9T 三眼鏡筒 AZ9C カメラ直筒 △広視野・長作動距離を持つ実体顕微鏡と 高分解能観察・同軸落射を持つ金属顕微鏡の 利点をAZ9小型鏡筒に組み込みました。 簡単取り付け、簡単操作。 RSS210に リアルタイムで記録。 AZ9を取り付けて 使用します  PCとカメラユニットを接続するだけで 簡単に取り付けできます。  リフロ一本体のプログラム運転と同期 して記録・観察できます。  データは静止画だけでなく、動画とし てPCに保存できます。
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ReflowM iScorold Secro Spyes tAeZm9 w Siethri eTso uch Panel ● AZ9T/AZ9C 製品スペック ①ズーム比10 倍レンジは、接眼視野Φ10.6mm からΦ1.0 6mm と 3µm 以下の分解能を達成 ②作動距離90mm は、半導体検査・チャンバー内観察・ピン セット作業・輻射熱対策などの多岐に渡るアプリケーションに 対応 ③開口絞り機構により、コントラストや焦点深度の調整が自由 ④AZ9T 三眼鏡筒(20X 接眼レンズ2 式付属)とAZ9C カメラ直 筒の2種類を選択可能 ⑤明視野観察には同軸落射照明、暗視野観察にはリング照 明(傾斜)を用意 ● AZ9T/AZ9C 撮影画像
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●はんだリフロー装置本体仕様・オプション⼀覧表 VSS-300 RSO-200 RVS-210 RSS-3x210-S RSS-210-S RSS-160-S RSS-110-S 装置サイズ(WxDxH) 550x690x830 505x505x570mm 670x544x320mm 820x630x315mm 430x295x290mm 300x420x220mm 260x420x220mm 装置重量 約105kg 約55kg 約45kg 約100kg 約22kg 約12kg 約10kg 160mmx160mm 630mmx210mm 加熱プレートサイズ(WxD) 320mmx320mm 210mmx210mm 210mmx210mm 160mmx160mm 110mmx110mm グラファイト製プレート (3x210mmx210mm) 有効対象物サイズ(WxDxH) 300mmx300mmx50mm 155mmx155mmx40mm 200mmx200mmx50mm 200mmx200mmx50mm 200mmx200mmx50mm 155mmx155mmx40mm 105mmx105mmx40mm 最⼤到達温度 450℃ 650℃ 400℃ 300℃ 400℃ 400℃ 400℃ 加熱⽅式 クロス配列IRヒーター(下部加熱) クロス配列IRヒーター(下部加熱) IRヒーター(下部加熱) クロス配列IRヒーター(下部加熱) IRヒーター(下部加熱) カートリッジヒーター(下部加熱) カートリッジヒーター(下部加熱) 温度制御⽅式 P.I.D.制御⽅式 P.I.D.制御⽅式 P.I.D.制御⽅式 P.I.D.制御⽅式 P.I.D.制御⽅式 P.I.D.制御⽅式 P.I.D.制御⽅式 設定温度に対して±1%以内 設定温度に対して±1%以内 設定温度に対して±1%以内 設定温度に対して±1.5%以内 設定温度に対して±1%以内 設定温度に対して±1%以内 設定温度に対して±1%以内 プレート上温度バラつき (対象物︓Φ300mmウエハ時) (対象物︓Φ200mmウエハ時) (対象物︓Φ200mmウエハ時) (対象物︓Φ200mmウエハ時) (対象物︓Φ200mmウエハ時) (対象物︓Φ150mmウエハ時) (対象物︓Φ150mmウエハ時) 最⼤昇温速度※対象物の熱容量に因る 150K/min. 600K/min. 120K/min. 120K/min. 240K/min. 100K/min. 120K/min. 最⼤降温速度 90K/min.(T=450℃>200℃) 200K/min.(T=650℃>400℃) 120K/min.(T=400℃>200℃) 90K/min.(T=300℃>200℃) 120K/min.(T=400℃>200℃) 100K/min.(T=400℃>200℃) 180K/min.(T=400℃>200℃) ※対象物の熱容量に因る 60K/min.(T=200℃>100℃) 30K/min.(T=400℃>100℃) --- --- --- --- --- チャンバー真空耐久度 0.1Pa(10-3hPa) 0.1Pa(10-3hPa) 0.1Pa(10-3hPa) 0.1Pa(10-3hPa) 0.1Pa(10-3hPa) 0.1Pa(10-3hPa) 0.1Pa(10-3hPa) プロセスガス供給ライン マスフローコントローラx1(最⼤流量︓5nlm) マスフローコントローラx1(最⼤流量︓5nlm) マスフローコントローラx1(最⼤流量︓5nlm) マスフローコントローラx1(最⼤流量︓5nlm) マスフローコントローラx1(最⼤流量︓5nlm) マスフローコントローラx1(最⼤流量︓5nlm) マスフローコントローラx1(最⼤流量︓5nlm) コントローラ タッチパネルコントローラSIMATIC®TP-700 タッチパネルコントローラSIMATIC®TP-700 タッチパネルコントローラSIMATIC®TP-700 タッチパネルコントローラSIMATIC®TP-700 タッチパネルコントローラSIMATIC®TP-700 タッチパネルコントローラSIMATIC®TP-700 タッチパネルコントローラSIMATIC®TP-700 プロファイルプログラム登録数 最⼤︓50プログラム 最⼤︓50プログラム 最⼤︓50プログラム 最⼤︓50プログラム 最⼤︓50プログラム 最⼤︓50プログラム 最⼤︓50プログラム プログラムステップ数 最⼤︓50ステップ 最⼤︓50ステップ 最⼤︓50ステップ 最⼤︓50ステップ 最⼤︓50ステップ 最⼤︓50ステップ 最⼤︓50ステップ プロセスデータ保存先 USBメモリ/SDカード/Ethernet USBメモリ/SDカード/Ethernet USBメモリ/SDカード/Ethernet USBメモリ/SDカード/Ethernet USBメモリ/SDカード/Ethernet USBメモリ/SDカード/Ethernet USBメモリ/SDカード/Ethernet チャンバー冷却⽅式 ウォータージャケット⽅式 ウォータージャケット⽅式 ウォータージャケット⽅式 ウォータージャケット⽅式 ウォータージャケット⽅式 ウォータージャケット⽅式 ウォータージャケット⽅式 加熱プレート冷却⽅式 ⽔冷/空冷(共⽤可) ⽔冷/空冷(共⽤可) ⽔冷/空冷(共⽤可) ⽔冷/空冷(共⽤可) ⽔冷/空冷(共⽤可) ⽔冷/空冷(共⽤可) ⽔冷/空冷(共⽤可) 電源仕様 三相200V、40A 三相200V、30A 三相200V、20A 三相200V、16A 三相200V、16A 単相200V、9A 単相200V、6.5A/単相100V、13A 【装置オプション】 SW(標準装備仕様) 真空ポンプ電源⾃動ON/OFF制御機能※必須 真空ポンプ電源⾃動ON/OFF制御機能※必須 真空ポンプ電源⾃動ON/OFF制御機能※必須 真空ポンプ電源⾃動ON/OFF制御機能※必須 真空ポンプ電源⾃動ON/OFF制御機能※必須 真空ポンプ電源⾃動ON/OFF制御機能※必須 真空ポンプ電源⾃動ON/OFF制御機能※必須 チャンバー内真空度測定・記録機能及び チャンバー内真空度測定・記録機能及び チャンバー内真空度測定・記録機能及び チャンバー内真空度測定・記録機能及び チャンバー内真空度測定・記録機能及び チャンバー内真空度測定・記録機能及び チャンバー内真空度測定・記録機能及び VACII(標準装備仕様) ピラニ型真空度センサ※必須 ピラニ型真空度センサ※必須 ピラニ型真空度センサ※必須 ピラニ型真空度センサ※必須 ピラニ型真空度センサ※必須 ピラニ型真空度センサ※必須 ピラニ型真空度センサ※必須 上部IRヒーターモジュール EP --- --- --- --- --- --- (電源仕様︓三相200V、80A) 上部IRヒーターモジュール QP --- --- --- --- --- --- セパレート⽤⽯英ガラス板 EH チャンバー⾼さ120mm --- チャンバー⾼さ80mm --- チャンバー⾼さ80mm チャンバー⾼さ80mm チャンバー⾼さ80mm ET 最⼤到達温度650℃ --- --- --- --- --- --- HT --- --- --- --- 最⼤到達温度500℃ 最⼤到達温度500℃ 最⼤到達温度500℃ GPS --- 蓋付きグラファイト製円筒アダプタ --- --- --- --- --- GP --- グラファイト製プレート(160x160mm) --- --- --- --- --- PyC浸潤グラファイト製プレート(160x160mm) GP-PyC --- --- --- --- --- --- ※剥離なし シリコンカーバイドコーティング GP-SiC --- --- --- --- --- --- グラファイト製プレート(160x160mm) PC-200 --- ダブルチャンバー※同時使⽤不可 --- --- --- --- --- QC-150 --- ⽯英ガラス製チャンバー --- --- --- --- --- QC-150-HV --- ⾼真空対応⽯英ガラス製チャンバー --- --- --- --- --- 内蔵ギ酸還元モジュール 内蔵ギ酸還元モジュール 内蔵ギ酸還元モジュール 内蔵ギ酸還元モジュール 内蔵ギ酸還元モジュール 内蔵ギ酸還元モジュール FAIII --- (標準の窒素ガス供給とMFC共⽤) (標準の窒素ガス供給とMFC共⽤) (標準の窒素ガス供給とMFC共⽤) (標準の窒素ガス供給とMFC共⽤) (標準の窒素ガス供給とMFC共⽤) (標準の窒素ガス供給とMFC共⽤) 内蔵ギ酸還元モジュール 内蔵ギ酸還元モジュール 内蔵ギ酸還元モジュール 内蔵ギ酸還元モジュール 内蔵ギ酸還元モジュール 内蔵ギ酸還元モジュール FAII --- (標準の窒素ガス供給とMFC別系統) (標準の窒素ガス供給とMFC別系統) (標準の窒素ガス供給とMFC別系統) (標準の窒素ガス供給とMFC別系統) (標準の窒素ガス供給とMFC別系統) (標準の窒素ガス供給とMFC別系統) 外付ギ酸還元モジュール 外付ギ酸還元モジュール 外付ギ酸還元モジュール 外付ギ酸還元モジュール 外付ギ酸還元モジュール 外付ギ酸還元モジュール 外付ギ酸還元モジュール FAI (標準の窒素ガス供給とMFC別系統) (標準の窒素ガス供給とMFC別系統) (標準の窒素ガス供給とMFC別系統) (標準の窒素ガス供給とMFC別系統) (標準の窒素ガス供給とMFC別系統) (標準の窒素ガス供給とMFC別系統) (標準の窒素ガス供給とMFC別系統) FA-T ギ酸ガス除去⽤ケミカルフィルター ギ酸ガス除去⽤ケミカルフィルター ギ酸ガス除去⽤ケミカルフィルター ギ酸ガス除去⽤ケミカルフィルター ギ酸ガス除去⽤ケミカルフィルター ギ酸ガス除去⽤ケミカルフィルター ギ酸ガス除去⽤ケミカルフィルター FT フラックストラップフィルター --- フラックストラップフィルター フラックストラップフィルター フラックストラップフィルター フラックストラップフィルター フラックストラップフィルター ⾼濃度⽔素ガス供給システム及び ⾼濃度⽔素ガス供給システム及び ⾼濃度⽔素ガス供給システム及び ⾼濃度⽔素ガス供給システム及び ⾼濃度⽔素ガス供給システム及び ⾼濃度⽔素ガス供給システム及び ⾼濃度⽔素ガス供給システム及び H2・H2S 安全対策オプション 安全対策オプション 安全対策オプション 安全対策オプション 安全対策オプション 安全対策オプション 安全対策オプション IL チャンバー蓋インターロック(標準装備) チャンバー蓋インターロック(標準装備) チャンバー蓋インターロック チャンバー蓋インターロック チャンバー蓋インターロック チャンバー蓋インターロック チャンバー蓋インターロック 追加プロセスガス供給⽤マスフローコントローラ 追加プロセスガス供給⽤マスフローコントローラ 追加プロセスガス供給⽤マスフローコントローラ 追加プロセスガス供給⽤マスフローコントローラ(合計 追加プロセスガス供給⽤マスフローコントローラ(合計 追加プロセスガス供給⽤マスフローコントローラ(合計 MFC --- (合計4系統) (合計4系統) (合計4系統) 3系統) 3系統) 2系統) TCII 対象物温度測定・記録⽤追加熱電対(合計1本) 対象物温度測定・記録⽤追加熱電対(合計1本) 対象物温度測定・記録⽤追加熱電対(合計3本) 対象物温度測定・記録⽤追加熱電対(合計1本) 対象物温度測定・記録⽤追加熱電対(合計1本) 対象物温度測定・記録⽤追加熱電対(合計1本) 対象物温度測定・記録⽤追加熱電対(合計1本) MM チャンバー内湿度測定・記録機能及び湿度測定センサ チャンバー内湿度測定・記録機能及び湿度測定センサ チャンバー内湿度測定・記録機能及び湿度測定センサ チャンバー内湿度測定・記録機能及び湿度測定センサ --- --- --- チャンバー内残留酸素濃度測定・記録機能及び チャンバー内残留酸素濃度測定・記録機能及び チャンバー内残留酸素濃度測定・記録機能及び チャンバー内残留酸素濃度測定・記録機能及び チャンバー内残留酸素濃度測定・記録機能及び チャンバー内残留酸素濃度測定・記録機能及び チャンバー内残留酸素濃度測定・記録機能及び OxAtAn 残留酸素濃度測定センサ 残留酸素濃度測定センサ 残留酸素濃度測定センサ 残留酸素濃度測定センサ 残留酸素濃度測定センサ 残留酸素濃度測定センサ 残留酸素濃度測定センサ PT 3⾊パトライト(⾚・⻩・緑) 3⾊パトライト(⾚・⻩・緑) 3⾊パトライト(⾚・⻩・緑) 3⾊パトライト(⾚・⻩・緑) 3⾊パトライト(⾚・⻩・緑) 3⾊パトライト(⾚・⻩・緑) 3⾊パトライト(⾚・⻩・緑) ⾼真空対応チャンバー10-4Pa(10-6hPa)及び ⾼真空対応チャンバー10-4Pa(10-6hPa)及び ⾼真空対応チャンバー10-4Pa(10-6hPa)及び HV --- --- --- --- ターボ分⼦ポンプ ターボ分⼦ポンプ ターボ分⼦ポンプ LP 対象物持ち上げ⽤リフトピン --- --- --- --- --- --- SI 外部機器通信⽤シリアル通信機能 --- --- --- --- --- --- RC チャンバー蓋開閉⽤リモート制御機能 --- --- --- --- --- --- 【ユーティリティオプション】 MP真空ポンプ 真空到達度200Paメンブラン式真空ポンプ 真空到達度200Paメンブラン式真空ポンプ 真空到達度200Paメンブラン式真空ポンプ 真空到達度200Paメンブラン式真空ポンプ 真空到達度200Paメンブラン式真空ポンプ 真空到達度200Paメンブラン式真空ポンプ 真空到達度200Paメンブラン式真空ポンプ MP-C真空ポンプ 真空到達度200Pa耐腐⾷性メンブラン式真空ポンプ 真空到達度200Pa耐腐⾷性メンブラン式真空ポンプ 真空到達度200Pa耐腐⾷性メンブラン式真空ポンプ 真空到達度200Pa耐腐⾷性メンブラン式真空ポンプ 真空到達度200Pa耐腐⾷性メンブラン式真空ポンプ 真空到達度200Pa耐腐⾷性メンブラン式真空ポンプ 真空到達度200Pa耐腐⾷性メンブラン式真空ポンプ RVP真空ポンプ 真空到達度0.1Paロータリー式真空ポンプ 真空到達度0.1Paロータリー式真空ポンプ 真空到達度0.1Paロータリー式真空ポンプ 真空到達度0.1Paロータリー式真空ポンプ 真空到達度0.1Paロータリー式真空ポンプ 真空到達度0.1Paロータリー式真空ポンプ 真空到達度0.1Paロータリー式真空ポンプ RVP-C真空ポンプ 真空到達度0.1Pa耐腐⾷性ロータリー式真空ポンプ 真空到達度0.1Pa耐腐⾷性ロータリー式真空ポンプ 真空到達度0.1Pa耐腐⾷性ロータリー式真空ポンプ 真空到達度0.1Pa耐腐⾷性ロータリー式真空ポンプ 真空到達度0.1Pa耐腐⾷性ロータリー式真空ポンプ 真空到達度0.1Pa耐腐⾷性ロータリー式真空ポンプ 真空到達度0.1Pa耐腐⾷性ロータリー式真空ポンプ SP真空ポンプ 真空到達度0.3Paスクロール式真空ポンプ 真空到達度0.3Paスクロール式真空ポンプ 真空到達度0.3Paスクロール式真空ポンプ 真空到達度0.3Paスクロール式真空ポンプ 真空到達度0.3Paスクロール式真空ポンプ 真空到達度0.3Paスクロール式真空ポンプ 真空到達度0.3Paスクロール式真空ポンプ RP真空ポンプ 真空到達度5Paドライ式真空ポンプ 真空到達度5Paドライ式真空ポンプ 真空到達度5Paドライ式真空ポンプ 真空到達度5Paドライ式真空ポンプ 真空到達度5Paドライ式真空ポンプ 真空到達度5Paドライ式真空ポンプ 真空到達度5Paドライ式真空ポンプ HVP真空ポンプ 真空到達度10-4Paターボ分⼦ポンプ 真空到達度10-4Paターボ分⼦ポンプ 真空到達度10-4Paターボ分⼦ポンプ --- --- --- --- WCIチラー --- --- 1.3kW冷却機付きチラー --- 1.3kW冷却機付きチラー 1.3kW冷却機付きチラー 1.3kW冷却機付きチラー WCIIチラー --- --- 2.7kW冷却機付きチラー 2.7kW冷却機付きチラー 2.7kW冷却機付きチラー --- --- WCIIIチラー 5.3kW冷却機付きチラー 5.3kW冷却機付きチラー --- 5.3kW冷却機付きチラー --- --- --- WCIVチラー 8.7kW冷却機付きチラー 8.7kW冷却機付きチラー --- --- --- --- --- ユニバーサル・ヒート・エクスチェンジャー ユニバーサル・ヒート・エクスチェンジャー ユニバーサル・ヒート・エクスチェンジャー ユニバーサル・ヒート・エクスチェンジャー ユニバーサル・ヒート・エクスチェンジャー ユニバーサル・ヒート・エクスチェンジャー ユニバーサル・ヒート・エクスチェンジャー UHE (504x714x412mm、約50kg) (504x714x412mm、約50kg) (504x714x412mm、約50kg) (504x714x412mm、約50kg) (504x714x412mm、約50kg) (504x714x412mm、約50kg) (504x714x412mm、約50kg)
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Spec Sheet CCoommppaannyy P Prorofifliele 会 社 案 内 Company Profile 会社概要 会社名 ユニテンプジャパン株式会社 UniTemp Japan Co., Ltd. 所在地 〒194-0013 東京都町田市原町田2-6-13 ベルストーク1 2階 TEL 046-860-7890 / FAX 050-3730-8404 電車でお越しの場合 JR横浜線 町田駅より徒歩4分 小田急線 町田駅より徒歩8分 HP UniTemp GmbH社関連製品 https://www.unitemp.jp/ 代表 代表取締役 嘉登 浩一 設立 平成24年3月14日 資本金 300万円 取引金融機関 横浜信用金庫 南林間支店 / 大和支店 静岡中央銀行 中央林間支店 城南信用金庫 中央林間支店 事業内容 真空リフロー装置、アニール加熱炉の輸入販売、及び保守メインテナンス業務 半導体製造に関する装置の設計、製作、及び保守メインテナンス業務 上記に付随する、部品、消耗品などの輸入販売 総輸入代理店 販売代理店 ユニテンプジャパン株式会社 〒194-0013 東京都町田市原町田2-6-13 ベルストーク1 2階 TEL 042-860-7890 / FAX 050-3730-8404 E-mail : sales@unitemp.jp インターネットの情報もご覧ください https://www.unitemp.jp/ ●カタログの内容は予告無く変更する場合がありますので、ご了承願います。 ●カタログの写真や色は印刷により若干異なる場合が有ります。 ●このカタログの制作は2019年5月です。