ウエハIDマーキングシステム

Wafer ID LASER MARKING SYSTEM ウエハIDマーキングシステム 最新のレーザテクノロジーで 半導体の各製造工程をトータルサポート レーザ保護筐体搭載により安全性を確保 当社レーザ装置を搭載可能 広エリアの加工が可能 画像処理装置と連動した加工が可能 マーキング事例 2D マーキング ソリッドマーキング ドットマーキング オリフラマーキング 特長 ● 高信頼・高品質シングルモードレーザによる高品質マーキング ● 完全空冷式レーザヘッド搭載により冷却水不要 ● 基本波（1064nm）、第二高調波（532nm）から最適波長が選択可能 ● 各種ウエハサイズに対応可能（4,5,6,8,12インチ） ● ソフトマーク、ハードマーク対応可能 ● 最大4カセットまで積載可能（標準2カセット） ● ダブルハンドロボットによる高スループット ● サファイア、GaＮウェハにもマーキング可能 Let’s FA化 機能追加でご要望システムを提案いたします

Wafer ID LASER MARKING SYSTEM ウエハIDマーキングシステム マーキングシステム構成例 お客様ごとの要求 ( 加工形態 /加工精度 /処理能力など ) に合わせた最適なシステムソリューションをご提供しております 画像位置補正 位置決めステージ 集塵機 カセット ( マガジン ) ML-7350EL ML-9011A トレーサビリティ レーザ加工機 位置決めステージ例 お客さまのご要望をぜひ弊社担当へお伝えください 本体仕様 ML-7350EL ML-9011A レーザの種類 Yd: ファイバー Nd: YVO4 ビーム品質 マルチモード シングルモード 励起方法 LD 励起 冷却方式 完全空冷式（冷却水不要） 照射方式 パルス発振 発振波長 1,055 ～ 1,070nm 532nm 最大出力 50W 10W ウエハーサイズ 4 / 5 / 6 / 8 / 12 inch ※ フォント SEMI 準拠 ( ドット、ライン )、2Dコード (QR、データコード )、OCR-A、OCR-B　など 文字位置精度 ±200μm( 総合位置決め精度 ) ユーティリティー 単相 AC100 ～ 240V　50/60Hz ※ ウエハー加工サイズを兼用したい場合は別途ご相談ください。 ID マーキング以外でもお任せください ウエハー加工 ダイシング ダイマウントなど 樹脂成型、印字など 実装 オリフラマーキング レーザカッティング ( ダイ / セラミック ) プロジェクション加工 樹脂成型のバリ取り IC 実装 WLCSP マーキング 表面粗化 樹脂モールドマーキング レーザカッティング　その他 可視及び不可視レーザ放射 ビームや散乱光の目又は皮膚への被爆は 危険!見たり触れたりしないこと ■ 正しくお使いください ■ クラス4レーザ製品 VISIBLE AND INVISIBLE LASER RADIATION 当社のレーザ装置は、JISの｢レーザ製品の安全基準｣(JISC6802：2011)および厚生労働省通達の｢レーザー光線による障害の AVOID EYE OR SKIN EXPOSURE TO DIRECT OR SCATTERED RADIATION CLASS 4 LASER PRODUCT 防止対策要網｣、IEC規格(IEC60825-1：2007)に準拠し、レーザの安全について十分な配慮がなされています。装置を使用する Ybファイバレーザ/Yb FIBER LASER CW/PULSE 1050-1200nm MAX 60W 半導体レーザ/LD CW 630-670nm MAX 5mW ときは、特に注意事項をお守りください。本製品はクラス４レーザ製品です。 保護筐体ラベル (セーフティー・インターロック ) 仕様および外観は予告なく変更する場合がありますので、予めご了承ください URL http://www.awt.amada.co.jp ホームページはこちら 国内営業拠点一覧はこちら 1R.a 204202