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FET

電界効果トランジスタ(でんかいこうかトランジスタ、Field effect transistor, FET)は、ゲート電極に電圧をかけることでチャネル領域に生じる電界によって電子または正孔の濃度を制御し、ソース・ドレイン電極間の電流を制御するトランジスタである。電子と正孔の2種類のキャリアの働きによるバイポーラトランジスタに対して、いずれか1種類のキャリアだけを用いるユニポーラトランジスタの一種である。電流で制御するバイポーラトランジスタと比べ、電圧で制御する点などにより、真空管に似ている面がある(特性曲線などは異なる)。主な種類としては、接合型FET(ジャンクションFET, JFET)とMOSFETに大別される。他にも、MESFETなどの種類がある。また、それぞれの種別でチャネルの種類によりさらにn型のものとp型のものに分類される。この記事では主にSiなどの無機半導体について述べる。有機半導体を用いたものについては有機電界効果トランジスタを参照。

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電界効果トランジスタhttp://ja.wikipedia.org/)より引用

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