【ANNEAL】 卓上型ウエハーアニール装置

【ANNEAL】 卓上型ウエハーアニール装置の製品概要

Max1000℃、APC圧力自動制御、Φ4〜6inch、 ターボポンプ採用高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar）

高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。
又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。
チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。

・ハロゲンランプヒーター：Max500℃
・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ）
・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）

◉ 基板サイズ：Φ2inch〜4inch
◉ SUS304水冷式チャンバー
◉ 到達圧力 5x10-5Pascal
◉ 最大3系統プロセスガス入力
◉ 最大3系統マスフローコントローラ（オプション）
◉ 7"HMIタッチパネル
◉ 高精度ワイドレンジ真空ゲージ 10-9〜1000mbar
◉ USB端子付、PCデータロギング機能
◉ ターボ分子ポンプ：EXT75DX（Edwards社）
◉ ロータリーポンプ：RV3/RV8（Edwards社）（*ドライポンプへの変更可能）
◉ Kタイプ熱電対（ヒーター制御用）付属

この製品の利用用途

・電子基板、半導体、表示ディスプレー等の薄膜開発
・コーティング材料、薄膜材料の開発
・光学薄膜、装飾膜等の産業用途