パワー半導体 最新動向レポート【2026年7月版】

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パワー半導体の最新動向 2026年現在のパワー半導体市場は、EVの800V化やAI・データセンター需要を背景に、SiC/GaN を中心とした大規模投資と市場浸透が急速に進んでいる。技術面では実用化を前提とした信頼 性向上フェーズに移行し、同時に次世代のウルトラワイドバンドギャップ（UWBG）材料である酸化 ガリウムやダイヤモンドの研究・スタートアップの動きも活発化している。 サマリー 2026年のパワー半導体市場は、EVの800V化やAI・データセンター、再生可能エネルギー分野の 需要拡大を背景に、中長期的な成長が続いている。特に、SiCやGaNを中心としたワイドバンド ギャップ半導体は、高効率・高耐圧デバイスとして採用が拡大しており、主要メーカーによる設備 投資や製品開発、サプライチェーン強化が世界規模で進展している。 一方で、中国勢によるSiCウエハーの価格競争やEV市場の成長鈍化など、市場環境は大きく変 化している。各社はAIデータセンター向け電源や高電圧DCインフラなど高付加価値市場へのシ フトを進めるとともに、コスト競争力の強化や安定供給体制の構築、地政学リスクを踏まえたサプ ライチェーンの見直しを加速させている。 今後は、次世代材料の実用化や電力変換技術の高度化に加え、経済安全保障やGX政策など 外部環境への対応力が企業競争力を左右する重要な要素となる。技術革新と製造力、そして柔 軟な事業戦略を両立できる企業が、今後の市場成長を牽引していくと考えられる。 市場環境の変化 1. パワー半導体・パワーエレクトロニクス市場の拡大 ● パワー半導体産業は現在約3兆円規模で、2030年に5兆円、2050年に10兆円市場に なる見通し。日本企業は約29％のシェアを保有し、半導体分野の中で相対的に強 い。 2

● パワーエレクトロニクス全体の市場は2025年に346億ドル、2034年に531億ドルへ拡 大し、EV、再エネ、スマートグリッド、データセンターの電力変換ニーズが成長を牽引 している。 2. 第三世代半導体材料（SiC/GaN）市場 ● 第三世代半導体材料市場（SiC/GaN基板・エピ・モジュール）は2026年時点で約85億 ドル規模で、2026〜2035年にCAGR22.5％で拡大し、EV・再エネ・高効率電力電子が 主な需要源となる。SiC基板が市場価値の約65％を占め、GaNが35％だが、データ センター電源や急速充電の拡大でGaN比率は上昇する見込み。 ● 高品質SiC基板の供給能力は年間約250〜350万枚（6インチ換算）とされ、60〜70％ が長期供給契約で押さえられている一方、中国勢の大量投資により汎用品領域で は供給過剰と価格急落が顕在化している。 3. EV高電圧化・高速充電 ● EVの高電圧化市場は、400Vから800Vアーキテクチャへの移行により、2025年以降 強い成長が見込まれ、2035年まで高電圧コンポーネント市場はEV台数を上回る ペースで拡大するとされる。SiC採用による効率5〜10％向上が鍵。 ● EV DC急速充電モジュール市場は、30〜60kWから150〜350kW級への高出力化と SiCへの技術移行を伴い、2035年までCAGR15〜20％で拡大する見通し。 4. AI電力半導体・データセンター ● JPモルガンの分析では、AI電力半導体市場は2025年27億ドルから2028年160億ドル へ拡大し、CAGR約82％と予測。楽観シナリオでは200億ドル超も想定される。 ● 材料別では2028年にSiが約112億ドル、SiC約31億ドル、GaN約17億ドルと見込ま れ、SiC/GaNは高成長によりシェアを拡大する。SiCのkW当たり価値は30ドルから60 ドル、GaNは3ドルから46ドルへ大幅増加が予測されている。 5. 政策・規制・経済安全保障 ● 日本政府は経済安全保障推進法に基づき、半導体サプライチェーン強靭化を目的 にパワー半導体・材料・製造装置への支援を強化。特に先進SiCパワー半導体への 大規模投資を優先し、GX（グリーン・トランスフォーメーション）と国際競争力強化を 目的とした認定・補助金制度を導入している。 ● グローバルには、半導体・EV・電池・重要鉱物・AIなど戦略分野で特定国依存リスク を低減するため、サプライチェーン強靭化と対中依存低減（デリスキング）を目的とし た産業政策が強化されている。 3

● 韓国政府も「Ultra-Innovation Economy Project」の枠組みで次世代パワー半導体量 産に向け500億ウォン規模のR&D投資を検討していると報じられており、各国でワイ ドバンドギャップ半導体への政策支援が競争的に進んでいる。 業界・企業動向 1. 中国SiCウエハー企業と価格破壊 ● 中国メーカー（例：Summit Crystal Semiconductor）は、6インチSiCウエハーを約500 ドルで販売し、数年で価格が約1,500ドルから500ドルへ、さらに2024年後半には450 〜400ドルへ急落したと報じられている。供給過剰により400ドル割れの懸念も指摘さ れ、「チャイナショック」として警戒されている。 ● この価格破壊により、米Wolfspeedは株価が3年で96％下落するなど財務的打撃を 受け、西側先行企業の収益性が大きく損なわれている。 ● 中国では10兆円規模の半導体産業ファンドと自給率70％を目指す囲い込み政策に より、初期投資回収を度外視した量産が可能となり、構造的な価格競争が生じてい る。 2. グローバルIDMの投資・ポートフォリオシフト ● 主要パワー半導体IDMは、2024〜2025年に成熟プロセスのディスクリート生産能力 拡大を抑え、SiC/GaN、スマートパワー/BCD、アナログ・ミックスドシグナル、AIデー タセンター電源へ資本支出を再配分。Infineonは200mm SiC/GaNラインとSmart Power Fab、onsemiは垂直統合SiCとGaN開発、STは300mm Siと200mm SiCに集中 している。 ● 2026〜2027年の投資計画でも、SiC/GaNとAI電源が重点であり、従来型低圧/中圧 ディスクリートの新規能力は限定的とされる。この需給構造の変化を背景に、2026年 2月以降、MOSFETからIGBTまで広範な製品で値上げサイクルに入った。 3. AIデータセンター向けの企業動向 ● InfineonはNVIDIAのMGX AI Factoryエコシステムに参加し、800VDCアーキテクチャ に対応した電源ソリューションを提供。Si、SiC、GaNを組み合わせて 800V→50V/12V/6Vへの電力変換を高効率で実現し、ラックレベルまでの電源ツ リー全体を支える戦略を取っている。 4

● 同社はSiemensと提携し、DCグリッド・工場・バッテリーシステム向け半導体遮断器「 SENTRON 3QD2」にSiCモジュールを供給。従来の電磁式遮断器より最大1,000倍高 速に遮断し、AIデータセンターなどの重要インフラ保護に位置付けている。またAI データセンター向け電源売上は2025年に7億ユーロ超、2026年に15億ユーロを見込 んでいる。 ● NavitasはPCIM 2026で、AIデータセンター向け800VDC標準への移行を支援する GaN/SiCソリューションを展示。20kW 800V→6Vボード（97.5％効率、48V中間バスを 排除）や10kW 800V→50V DC-DC（2.1kW/in³、98.5％効率）など、高電力密度・高効 率のGaNベース電源を提案している。 ● onsemiはPCIM 2026でGaNEXUSポートフォリオを発表し、AIサーバ向け48V→12V IBCや700〜900V入力の12kW高電圧IBCをデモ。GaNにより磁気部品を30〜60％小 型化し、電力密度を1.5〜2倍、効率を0.5〜2％改善できると説明している。 ● ルネサスは米EPCと包括的ライセンス契約を締結し、低耐圧GaN技術とサプライ チェーンにアクセス。既存の650V以上の高耐圧ポートフォリオを補完し、 48V→12V→1VのAI電源アーキテクチャやクライアントコンピューティング、バッテリー 駆動アプリケーション向けに包括的GaNポートフォリオを構築する方針。 4. EV・産業・インフラ向け企業動向 ● EV向けSiCは依然として主戦場であり、2026年の車載グレードパワー半導体市場は 200億ドル超、そのうちSiC比率は70％以上と予測。800V高電圧プラットフォーム車種 の100％がSiC主駆動ソリューションを採用しているとされる。 ● onsemiはDC急速充電ステーションの電力チェーンを体系的に解説するハンドブック を発表し、SiCデバイス向けゲートドライブ・保護設計ガイドを提供。さらに800V AI電 源向けのSiC JFETソリューションを展示し、高電圧DC変換でGaNに対抗するポジ ションを狙っている。 ● NavitasはAIデータセンターだけでなく、グリッド・エネルギーインフラ向けに 3300V/2300V/1200V SiCを用いたSST（固体変圧器）ソリューションを展示し、双方 向アクティブフロントエンドなど高電圧グリッド用途を開拓している。 5. 日本企業の動向 ● 日本のSiC/GaNパワー半導体市場は、EV電動化と産業自動化の拡大に伴い今後 10年で飛躍的成長が見込まれ、政府のGX・経済安全保障政策によりSiC投資が優 先支援されている。 ● 一方で、国内の新素材加工機器メーカーでは、主力のSiC業界で新規設備投資への 慎重姿勢が続き、GaNなど他新素材分野でも本格投資に時間を要しているため、売 5

上が低調に推移している。 ● 三社電機製作所は、SiCチップ改良とラインアップ拡充を進めつつ、高耐圧・インフラ 分野での活用を視野に製品開発を推進。ディスクリート・チップ売上は伸長したが、 主力パワーモジュールは顧客在庫調整と中国市場鈍化で減収となった。 ● 東洋炭素は、生成AI向け最先端品など一部用途の需要は旺盛なものの、シリコン半 導体やSiC半導体用途は低調で、モビリティ・一般産業分野の需要も緩やかにとど まっていると報告している。 注目トピック 1. 800V HVDCアーキテクチャの拡大 ● NVIDIA主導の800V HVDCアーキテクチャは、従来の415/480V AC三相システムに 比べ、同じ銅ケーブルで150％以上の電力を送れるなど物理的優位性があり、デー タセンターのスケーラビリティとエネルギー効率を大幅に改善する。EV・太陽光分野 で既に採用されている800V DCインフラがデータセンターにも波及している。 ● 800V化により、入力側ではSST・DC配電とSiCモジュール、ラック側では高電圧DCバ スと高電圧スイッチ・ホットスワップ、ボードレベルでは800V→50/12/6Vの高倍率 DC-DC（GaN・磁気部品・制御IC）、負荷近傍では高電流密度VRM・パッケージ・熱材 料が重要となり、パワー半導体の役割が電源ツリー全体に拡大している。 2. AI電力半導体市場の爆発的成長 ● AI電力半導体市場は2025〜2028年にCAGR約82％で急拡大し、SiC/GaNのkW当た り価値が大幅に上昇する見込み。特にGaNは3ドルから46ドルへ15倍以上の価値増 加が予測され、AIデータセンター電源の主役として位置付けられている。 ● PCIM 2026では、Navitas、onsemiなど主要企業がAIデータセンター向け800VDCソ リューションを一斉に発表し、業界全体がAI電源を次の成長エンジンと見なしている ことが示された。 3. 中国SiC価格破壊と西側の戦略転換 ● 中国製SiCウエハーの急激な価格下落（1,500ドル→400ドル割れ）は、西側メーカー の利益確保を困難にし、Wolfspeedなどの経営悪化を招いている。 6

● これに対し、西側企業は8インチ（200mm）SiC基板・高電圧（10kV級）SiC MOSFET・ モジュール化・システムソリューションへのシフトで差別化を図り、汎用ウエハーのコ モディティ化から脱却しようとしている。 4. 価格上昇サイクルと需給タイト化 ● 2026年2月以降、グローバルなパワー半導体業界は明確な価格上昇サイクルに入 り、MOSFETの値上げがIGBTやパワーチップなど広範な製品に波及している。背景 には、成熟ディスクリートの新規能力抑制と中国以外の供給タイト化がある。 ● 一方で、SiCウエハーなど一部領域では中国発の供給過剰による価格下落が続いて おり、製品・用途によって「値上げ」と「値下げ」が混在する複雑な価格環境となって いる。 技術・商業・政策的な課題 1. SiC供給過剰と価格破壊への対応 ● 中国勢の過剰投資により、6インチSiCウエハー価格が短期間で約67％下落し、西側 メーカーは適正利益を確保しにくい水準に直面している。 ● EV成長鈍化も重なり、SiC設備投資に関連する減損損失を計上する企業（例：ROHM の1936億円減損）も出ており、投資回収リスクが顕在化している。 ● 対応策として、8インチ大口径化・低欠陥化・高電圧モジュール・システムソリューショ ンへのシフトが模索されているが、短期的な収益圧迫は続く可能性がある。 2. 高品質SiC基板の供給制約とコスト ● 高品質SiC基板のグローバル能力は限定的で、長期契約で大半が押さえられている ため、プレミアムグレードの供給制約とコスト高が続いている。 ● 高純度SiC粉末の原材料コスト変動や結晶欠陥密度の技術的制約も、長期的な課 題として指摘されている。 3. 標準化・安全規制・インフラ整合 ● 800V HVDCアーキテクチャの拡大に伴い、SST・半導体遮断器・高電圧DC配電の安 全規格・標準化が重要課題となる。InfineonとSiemensの半導体遮断器は、従来の電 磁式遮断器を置き換える新アーキテクチャの一例であり、規制当局との整合が必 7

要。 ● EV高速充電・グリッドインターフェースでも、SiC/GaNベースの高周波・高電圧コン バータに対する認証・EMC・安全規格の整備が求められる。 4. 地政学リスクとサプライチェーン再編 ● 半導体・EV・電池・重要鉱物分野で対中依存低減とサプライチェーン強靭化が進む 中、SiC/GaN材料・装置の国際取引は輸出規制・投資規制の影響を受けやすくなっ ている。 ● 日本は材料・装置で強みを持つ一方、EV・AI・再エネの最終市場はグローバルであ り、国内生産基盤強化と海外連携のバランスが政策・企業戦略上の課題となる。 5. 事業ポートフォリオと景気耐性 ● パワー半導体はコモディティ化しやすく、一定以上の生産量がなければコストが下が らないため、景気に左右されにくい事業ポートフォリオ構築が重要とされる。インフィ ニオンはSiC/GaN・アナログ・マイコンを組み合わせた「プロダクト・トゥ・システム」ア プローチでEV駆動システムなどをソリューション提供し、収益安定化を図っている。 ● 日本企業でも、SiC単体から産業機器・鉄道・モーター駆動・AI電源など複数用途を 組み合わせたポートフォリオへのシフトが求められているが、EV・中国市場への依存 度が高い企業では調整が続いている。 今後の展望と示唆 EVの800V化やAI・データセンター向け電力需要の拡大、再生可能エネルギーの普及を背景に、 パワー半導体市場は中長期的な成長が続くと見込まれる。一方で、中国勢による価格競争の激 化やEV市場の成長鈍化など、市場環境の二極化が進んでおり、単なる生産能力の拡大だけで は競争優位を維持することは難しくなっている。今後は、高耐圧・高効率デバイスの開発やAI データセンター向け電源、高電圧DCインフラなど高付加価値領域への展開に加え、システム提 案力や品質・信頼性を含めた総合的な競争力が企業の差別化の鍵を握る。 また、各国では経済安全保障やGXを背景とした政策支援が継続する一方、地政学リスクやサプ ライチェーン再編への対応は今後も重要な経営課題である。調達先や生産拠点の分散による供 給網の強靭化に加え、AI、EV、電力インフラなど複数の成長市場を見据えた事業ポートフォリオ の構築が求められる。技術革新と事業戦略を両立し、市場環境の変化へ柔軟に対応できる企業 が、今後の競争優位を確立していくと考えられる。 8

まとめ 以上より、パワー半導体業界は、EVの800V化やAI・データセンター向け需要の拡大を背景に、 SiC・GaNを中心とした技術革新と市場拡大が加速する一方、中国勢の台頭や価格競争、サプラ イチェーン再編など、大きな事業環境の変化に直面している。今後は、性能向上だけでなく、コス ト競争力や安定供給、高品質な量産体制の構築が企業競争力を左右する重要な要素となる。 また、AIデータセンターや高電圧DCインフラなど新たな用途の拡大に伴い、高耐圧・高効率デバ イスや次世代材料への期待は一層高まると考えられる。一方で、地政学リスクや経済安全保障 への対応、原材料価格の変動など、不確実性への備えも不可欠である。 製造現場においては、技術開発だけでなく、生産技術や設備投資、品質管理、調達を含めたサ プライチェーン全体の最適化が重要となる。今後は、技術革新と製造力を両立し、市場や政策の 変化へ柔軟に対応できる企業が、中長期的な競争優位を確立していくと考えられる。 9

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