膜厚測定装置 / 薄膜応力測定装置

膜厚測定装置 TohoSpec3100シリーズ 信頼と実績の測定ヘッド 高精度膜厚測定のスタンダード機として長年の信頼と実績を持つ NanoSpec3000シリーズの正式な後継機として TohoSpec3100シリーズ をご提案しております。測定性能をさらに向上し、ユーザーのニーズに合わ せた仕様変更、より操作性の高いソフトウェアへの更新など、利便性が向上 した新たなスタンダード機を是非ご活用ください。多層膜サンプルの膜厚、 光学定数（n,k）の同時測定が可能です。高分解能ヘッドを搭載した新モデ ルも加わり、微小エリアの測定や厚膜の測定など、より幅広い分野でお使い いただけるようになっております。 特徴 / 活用分野 ●NanoSpec3000の後継機で旧機からのレシピ移植が可能 ●単層/多層膜の膜厚及び光学定数（n,k）の同時測定 ●多くの測定モデルを標準搭載、様々な膜種の測定に対応 ●シンプルな構造で操作が容易 ●安定の高速、高精度測定 ●国内製造の安心品質、安心サービス対応 製品ラインナップ モデル TohoSpec3100（ 標準） TohoSpec3100T（ 高分解能） 測定波長範囲 380 – 800nm 380 – 850nm 膜厚測定範囲 *1 100A – 30um 100A – 70um 対物レンズ（ スポット径）*標準 5X（ φ50um） 5X（ φ15um） 対物レンズ（ スポット径）*オプション 10X（ φ25um）、50X（ φ5um） 10X（ φ7.5um）、50X（ φ1.5um）、100X（ φ0.75um） 測定再現性（ 1σ） *1 *2 ±2A または ±0.1% の大きい方 測定時間 0.1 – 2.5秒 / ポイント 光 源 ハロゲンランプ サンプルサイズ 最大8インチ 電 源 単層 100 – 240V 標準概算寸法 W280×D472×H753 標準概算重量 22kg オプション 膜厚スタンダード、各種対物レンズ、USBカメラ、ノートPC、除振台、他 *1：測定膜種、サンプル構造による。 *2：同一ポイントの 15回測定とする。 仕様、外観は予告なく変更することがあります。 解析例 測定原理 ホログラフィック凹面回折格子 フィッティング 100X(0.75um) イメージ № Thick［1 nm］N（1 633nm）K（1 633nm） № 436nm［%］ 640nm［%］ 780nm［%］ 1 453.99 1.4731 0.0000 1 42.33 34.22 32.66 2 453.92 1.4733 0.0000 2 42.30 34.22 32.65 3 453.94 1.4733 0.0000 3 42.28 34.21 32.65 対物レンズを介してサンプルに光を垂直に入射させ、その反射光を分光し、各波 4 453.98 1.4731 0.0000 4 42.31 34.23 32.65 長毎の反射強度データを取得します。その反射スペクトルと作成した測定モデル 5 453.95 1.4732 0.0000 5 42.28 34.21 32.62 の反射スペクトルでフィッティングを行い膜厚値を出力します。 膜厚/n/k 測定 反射率測定 （カーブフィッティング法） 稲沢ものづくり開発本部 ファインメカ事業部 〒492-8501 愛知県稲沢市下津下町東5-1 https://www.toho-tec.co.jp Tel：0587-24-1210 Fax：0587-24-1224

薄膜応力測定装置 FLX(フレクサス)シリーズ 応力測定のデファクトスタンダード さらなる高速化、高集積化が求められる半導体分野において、基 板および成膜材料の開発、選定、管理はこれまで以上に重要となっ ており、成膜プロセスではよりシビアな条件出し、品質管理が求 められています。また、Si半導体だけではなく、 SiC、GaNな どの新しい材料開発も活発となり、その特性を活かした化合物半 導体の需要はますます旺盛となっています。 FLXシリーズはレーザーの反射光から基板の反り・応力を測定 する装置です。非接触・非破壊で高速・高精度の測定が可能です。 特徴 / 活用分野 ●応力測定装置の専用機としては世界シェア No.1 ●基板及び膜材料の開発、特性評価 ●成膜装置の品質、性能評価 ●半導体、ディスプレイ製造での成膜条件出し ●成膜を伴う幅広い分野での成膜品質管理 ●国内製造の安心品質、安心サービス対応 製品ラインナップ モデル FLX2320S FLX2320R FLX3300T FLX3300R サンプルサイズ 3～ 8インチ 8～ 12インチ 応力測定範囲*1 1～ 4000MPa 測定再現性（1σ）*2 ±1.3MPa データ 応力（MPa）、反り（um）、BOW（um）、曲率半径（um）、グラフ、3Dマッピング、他 測定用レーザー 670nm、780nm 測定温度 室温～ 500度 室温のみ 室温～ 500度 室温のみ サンプル回転 手動 自動 手動 自動 電 源 230V 100V 230V 100V ガ ス CDA / N2 ― CDA / N2 ― 標準概算寸法 W560×D460×H460 W663×D550×H492 標準概算重量 48kg 60kg オプション 応力スタンダードウェーハ、ロケータ、3Dソフト、オフラインソフト、変圧器、低温測定（－65度）、他 *1：8インチシリコンウェーハ（725um厚）上の 1um厚の薄膜サンプルを測定した場合。 仕様、外観は予告なく変更することがあります。 *2：8インチ応力スタンダードウェーハを 10回連続測定した場合。 解析例 測定原理 反り変化 応力ユニフォーミティ 成膜前と成膜後のサンプルのそれぞれにおいて、上部からレーザーを照射し、サ ンプル表面での反射角度からサンプルの曲率半径を算出し、成膜前と成膜後の曲 温度応力変化 3Dマッピング 率半径の差分から、膜の応力を求めます。 稲沢ものづくり開発本部 ファインメカ事業部 〒492-8501 愛知県稲沢市下津下町東5-1 https://www.toho-tec.co.jp Tel：0587-24-1210 Fax：0587-24-1224