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GCIB方式DLC 超硬質炭素皮膜・高導電性炭素皮膜 製品概要

製品カタログ

極めてダイヤモンドに近い組成のカーボン膜を作製可能

DLC皮膜 特徴
1) 従来の単原子をイオンにするプロセスと異なり、原子を数千の塊にしてイオン化、基材に照射するプロセス
2) クラスターイオンの特異な照射効果により、極めてダイヤモンドに近い組成のカーボン膜を作製することができる
3) 高硬度・耐摩耗性・高耐熱・高導電性・耐防汚性の皮膜を生成できる

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このカタログについて

ドキュメント名 GCIB方式DLC 超硬質炭素皮膜・高導電性炭素皮膜 製品概要
ドキュメント種別 製品カタログ
ファイルサイズ 1.4Mb
登録カテゴリ
取り扱い企業 株式会社野村鍍金 (この企業の取り扱いカタログ一覧)

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このカタログの内容

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GCIB方式DLC 超硬質炭素皮膜 高導電性炭素皮膜 製品概要 -株式会社 野村鍍金-
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DLC皮膜 特徴 ガスクラスターイオンビーム (GCIB) 1) 従来の単原子をイオンにするプロセスと異なり、原子を数千の塊にしてイオン化、 基材に照射するプロセス 2) クラスターイオンの特異な照射効果により、極めてダイヤモンドに近い組成の カーボン膜を作製することができる 3) 高硬度・耐摩耗性・高耐熱・高導電性・耐防汚性の皮膜を生成できる
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高硬度DLC皮膜(タフカーボン) 特徴 1) 高硬度Hv5000・耐熱性500℃・寸法保持性が良い 2) 炭素のみからなる薄膜(コーティング)で水素を全く含まない 3) アモルファス(非晶質)であり、結晶性を持たない 平滑で滑り性が良い 4) 従来膜(CVD)と比べて、2~3倍の硬さ、2倍の耐熱性、高い密着性あり 5) 低温形成プロセス100℃以下、従来膜(CVD)は200℃以上 (CVD)
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タフカーボン 用途例 ① 精密機械部品(摺動部品、ガイド部品) 効果:2~4倍 (比較相手:DLC処理した素材) ※非汚染性も良好(相手材:はんだ) 刃物(フィルム、紙、樹脂向け) 効果:2~4倍 (比較相手:コーティング未処理の素材) 非鉄金属向け工具チップ 効果:10~15倍 (比較相手:コーティング未処理の素材)
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タフカーボン 用途例 ② インプラント(カラー部分) チタン製であるカラー部分にタフカーボンを成膜し、チタン表面性状を改質す ることで、細菌付着とバイオフィルム(=微生物の集合体)形成の抑制及び形 成されたバイオフィルムの剥離が容易になる。 口腔内からの細菌の入口となる カラー部分にタフカーボンを成膜 協力:東北大学大学院歯学研究科、東京都市大学工学部機械工学科
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タフカーボン 用途例 ③ 外科用器具 SUS製の外科用器具にプリオン(=病原体タンパク質)を付着させた。 プリオンが付着しにくい為、水洗で簡単に除去できる。 水洗 細菌を蛍光に光らせる 蛍光部分が確認されない 協力:東北大学大学院歯学研究科
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導電性DLC皮膜 (タフコンダクターB・タフコンダクターM) 特徴 1) 体積低効率と硬度 <タフコンダクターB> <タフコンダクターM> 体積抵抗率:5×10-3Ω・cm 体積抵抗率:1×10-3Ω・cm 硬 度:Hv4000相当 硬 度:Hv2000相当 2) 接触抵抗値 3500 プローブ接触抵抗 3000 2500 タフ コン 2000 タフコンダクターB はんだ 1500 1000 左記抵抗測定の概略図 500 タフコンダクターM (プローブ先端はクラウン型) 金めっき 0 0 10 20 30 40 荷重(g) 接触抵抗値(mΩ)
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タフコンダクターB・タフコンダクターM 皮膜特性① ・タフコンダクターMは、金めっきプローブに近い接触抵抗を示す ・タフコンダクターBは、接触抵抗がやや高いものの形状保持性が高い 金めっき タフコンダクター 10万回連続接触抵抗測定後の形状変化 (荷重30g×10万回 相手材:はんだ)
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タフコンダクターB・タフコンダクターM 皮膜特性②-1 ・はんだ付着に対して、強い耐性がある タフコンダクターM タフコンダクターB タフカーボン 金めっき はんだ片 加熱後の結果は次ページへ
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タフコンダクターB・タフコンダクターM 皮膜特性②-2 金めっき タフコンダクターM タフコンダクターB タフカーボン フラックス等は焦げ付いているが、 溶着 溶融はんだ片は粒になって弾かれている <用途> ・電子部品検査装置の電極 ・ICソケット向けプローブ 等
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野村鍍金は産業と社会の発展に貢献できる 価値ある企業をめざしてチャレンジし続けます 企業概要 企 業 名 : 株式会社野村鍍金 本 社 : 大阪市西淀川区姫島5-12-20 Tel (06)6471-0966 / Fax (06)6471-8299 事業内容: 産業機械向け表面処理加工 産業用機械製品の設計及び製作 表面処理プラントエンジニアリング 表面処理技術コンサルタント 資 本 金 : 1600万円 創 業 : 大正5年(1916年) 設 立 : 昭和17年(1942年)11月12日 代 表 者 : 代表取締役社長 野村修平 従業員数: 250名 事 業 所 : 大阪市西淀川区・神戸市北区・広島県福山市 栃木県鹿沼市・さいたま市中央区