Aqua Plasma クリーナー

酸化金属の還元 還元能力 酸化金属の 接着剤レスの樹脂 還元 接合 酸化銅 還元銅 H OH H2O + e- 酸化銀 O OH 還元銀 有機物の 表面の 分解 超親水化 ✓還元速度は水素プラズマの�倍以上 ✓還元深さは最大��� nm Aqua Plasma?は水蒸気（H�O）を用いた新しいプラズマ処理法です。 酸化した金属の還元、樹脂接合、親水化、有機物の分解を効率的かつ 還元モデル 安全に行うことができます。 Excellent for EHS (Environment, Health & Safety) Cu�O + �H/�(H++e-) → �Cu + H�O Ag�O + �H/�(H++e-) → �Ag + H�O 応用 (�) ボンディング前に (２) 樹脂封止前に AQ-��� 酸化膜が接合を阻害 酸化膜が光反射を阻害 ダイ 反応室扉 銅電極 オープン時 (�) レーザー加工後に (�) 硫化物も 酸化膜が導通を阻害 硫化により銀めっきが変色 AQ-２０００ 省スペースモデルAQ-��� 大面積基板対応モデルAQ-２０００ Copyright © 2023 Samco Inc. All Rights Reserved. 銅

有機物の分解 表面の超親水化 接着剤レスの樹脂接合 分解能力 親水化効果 接合強度（N/cm²) PC γs = γsp + γsd COP PS PDMS Si 白板 40 ポリカーボ PET 32.8 ネート ポリスチレン シリコーン ウエハ ガラス γsは個体の表面自由エネルギー。γspは極性， γsdは分散成分を表す。γspは-OHや-COOHなど 30 疎水性 親水性 超親水性 の極性基の生成を示す。 COP (Θ > ��°) (Θ < ��°) (Θ < �� or �°) 284.3 289.9 231.8 100 PC 100 20 90 343.8 92.2 309.5 178.8 80 70 VUV (172 nmエキシマランプ) PET Aqua Plasma® 253.1 264.3 228.0 264.3 213.8 10 6.7 60 50 44 40 酸素プラズマ 28 32 PS 未実施 未実施 未実施 未実施 未実施 30 118.9 26 0 20 22 20 16 14 10 12 4 10 PDMS 0 <1 未実施 未実施 未実施 未測定 未測定 未測定 未測定 水素プラズマ 0 60 120 180 240 300 360 420 480 540 600 処理時間（秒） 〇：50 N/cm²以上（弊社評価基準による）、50 N/cm² = 5.1 kgf/cm² = 0.5 MPa フォトレジストのアッシングレート 樹脂の親水化 表面自由エネルギー *接合には材料の平均算術粗さ(Ra) 5 nm以下の面精度および平面度を要す。 ✓アッシングレートは水素プラズマの�倍以上 （COP: Cyclo Olefin Polymerの場合） （フォトレジストの場合） ✓疎水性樹脂も超親水化 ✓ ��.� mN/mまで上昇 引張り試験法 分解モデル（フォトレジストの場合） 超親水化モデル（フォトレジストの場合） 樹脂の接合モデル 反転して処理面を接合 フォトレジストの構造 Aqua Plasma®の 水素の引き抜き、 分解 フォトレジストの構造 Aqua Plasma®の 水素の引き抜き、 超親水化 OH ラジカル 開裂、酸化 OH ラジカル 極性基の生成 + O, OH CO, H�Oなど + O, OH OH OH OH n n n 水素結合 R R R R R R ▶▶▶ 応用 応用 応用 (�) めっき前のデスカム処理（メッキ性、導通を担保） (�) 樹脂コーティング前に (�) 蒸着、スパッタ前に (�) マイクロ流体チップ接合 (�) 異種材料の常温接合 還元デスカム ✓接着剤からのコンタミ無し ✓接合後の反りや応力無し 基板 酸化銅 レジスト残渣 親水化 （スカム） 低線膨張材料（無機材、金属） めっき フォト 成膜材料 レジ 高線膨張材料（樹脂） スト 銅 (�) ナノインクの焼成前後に（インク配線の導電率が向上） (�) モールディング前に (�) アンダーフィル前に (�) 有機半導体の保護膜接合 分散剤の残留物 ✓接着剤からの水分浸入無し （炭化水素） ダイ PET、COP、PC Ag Ag Ag Ag Ag S 有機半導体 D Ag 基板 絶縁膜 G Si 印刷焼成後 アッシングレート (nm/min) 水接触角（°） ▶▶▶