大型製造装置設備を使わず、簡単にグラフェン・CNT（SWNT）合成実験が可能 ◉ 1バッチわずか30分！
◉ コールドウオール熱CVD方式による高効率・高精度プロセスコントロール
◉ 急速昇温：RT→1100℃/約3分間
◉ 高精度温度流量制御・再現性に優れたハイパフォーマンス機
◆特徴◆
・簡単操作! 5inchタッチパネルによる操作・レシピ管理
・最大30レシピ，30stepのプログラム作成可能
・専用ソフトウエア標準装備，CSVファイルで出力PCでデータロギング
・USBケーブル接続，PC側でのレシピ作成→装置へアップロード可能
・最大試料サイズ：40 x 40mm：銅（ニッケル）箔, SiO2/Si, Al2O3/Si基板，他
◆Model. nanoCVD-8G（グラフェン用）◆
・グラフェン生成用，真空プロセス制御
・ロータリーポンプ標準付属（オプション：TMP, Diffusion or Dry Pump）
・ガス供給3系統（標準）
・試料加熱ステージMax1100℃
・Kタイプ熱電対
◆Model. nanoCVD-8N（CNT用）◆
・CNT生成用，常圧プロセス制御
他同上
※ H2, Ar, N2, Ethanol, CH4等の原料、及び原料供給設備は付属しません。
このカタログについて
| ドキュメント名 | nanoCVD-8G/8N グラフェン合成装置 |
|---|---|
| ドキュメント種別 | 製品カタログ |
| ファイルサイズ | 1.3Mb |
| 登録カテゴリ | |
| 取り扱い企業 | テルモセラ・ジャパン株式会社 (この企業の取り扱いカタログ一覧) |
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