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EBSDによる結晶方位解析の受託サービス

製品カタログ

EBSD(電子線後方散乱回折法)を利用して結晶性試料の結晶組織を解析します。

EBSD(電子線後方散乱回折法)による結晶方位解析サービスでは結晶性試料の結晶組織を解析を実施致します。
製品を開発する上で、それをかたち作る材料の性質を知ることは非常に重要です。特に結晶性の材料において、結晶方位の配向性や粒径、粒の形状などの組織構造がその性質を決定づける場合が多くあります。
EBSD とは電子線後方散乱回折(Electron BackScattered Diffraction Pattern)のことでEBSP とも言い、走査電子顕微鏡を
用いて材料のミクロな結晶組織を観察する手法です。他の結晶方位測定の手法であるエッチピット法、SECP (Selected Area ElectronChanneling Pattern) 法やX 線によるコッセル線回折法に比べ、角度分解能と空間分解能に優れています。またTEM による結晶粒の方位測定に比べ試料調整が簡便で、広い範囲(数μm ~数100μm)の測定が可能です。

このカタログについて

ドキュメント名 EBSDによる結晶方位解析の受託サービス
ドキュメント種別 製品カタログ
ファイルサイズ 173.4Kb
取り扱い企業 JAPAN TESTING LABORATORIES株式会社 (この企業の取り扱いカタログ一覧)

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結晶構造解析サービス EBSDによる結晶方位解析 の受託サービス EBSD(電子線後方散乱回折法)を利用して結晶性試料の結晶組織を解析します。 EBSD(電子線後方散乱回折法)による結晶方位解析サービスでは結晶性試料の結晶組織を解析を実施致します。 概要 製品を開発する上で、それをかたち作る材料の性質を知ることは非常に重要です。特に結晶性の材料において、結晶方位の配向性や粒径、粒の形状などの組織構造がその性質を決定づける場合が多くあります。 EBSDとは電子線後方散乱回折(Electron BackScattered Diffraction Pattern)のことで EBSP とも言い、走査電子顕微鏡を 用いて材料のミクロな結晶組織を観察する手法です。他の結晶方位測定の手法であるエッチピット法、SECP (Selected Area Electron Channeling Pattern) 法や X線によるコッセル線回折法に比べ、角度分解能と空間分解能に優れています。また TEMによる結晶粒の 方位測定に比べ試料調整が簡便で、広い範囲(数 µm~数 100µm)の測定が可能です。 ●走査電子顕微鏡(SEM)で結晶組織の解析が可能 FE-SEMの機構を使用することで、数10nmの分解能でEBSDのマッピングが可能です。(汎用SEMの場合の分解能は数100nmです。) 特徴 ただし、試料の結晶粒径が数 10nm以下の場合の測定はご相談下さい。 ●試験と組み合わせて初期品から試験品までの変化解析が可能 冷熱サイクル試験、熱衝撃試験(ヒートショック試験)、電気試験など、各種試験と組み合わせて、初期品と試験後品の結晶組織の 比較解析が可能です。 ●金属プレートの破損部周辺の結晶組織解析 用途例 ●結晶粒内クラック周辺の結晶方位解析●はんだの試験前後品の結晶組織変化の解析 ●セラミックス品の結晶方位配向性解析 ●溶接部破損部の結晶組織解析 EDX 設備 結晶方位測定装置(SEM-EBSD) ・分析試料最大高さ:25mm(H)JSM-7800F JED-2300 ・分析元素範囲:B~U 紹介 ・エネルギー分解能:138eV以下 FE-SEM ・分析定量精度:±数 1000ppm以上 ・試料最大寸法:70mm×50mm×25mm(H) ・ステージ傾斜:-5°~+70° EBSD ・分解能:0.8nm(15kV)、1.2nm(1kV) ・TSL 製 OIM Data Collection ・最高観察倍率:300,000 倍(有効倍率) ( EBSD測定ハード/ソフト) ・TSL 製 OIM Analysis(EBSD解析ソフト) Q: どのくらいの大きさの試料まで対応可能ですか? Q&A A:一回の測定で最大面積900×900μmまで対応可能です。それ以上の大きさの試料では複数回に分けてマッピングを行い、マップをつなぎ合わせて一つのマップを作成します。 Q: どんな試料でも測定可能ですか? A: 結晶性をもつ試料であれば対応可能です。また結晶粒径が数 10nm以上から測定可能です。ただし、磁性を持つ試料の場合、 SEMの電子線が歪められ測定できないことがありますのでご相談ください。