装置_テープ式端面研磨装置_ SiC/GaN基板対応

Mipox Edge Polisher (GaN/SiC) TUNeDGE SFF-200TX 140台以上の納入実績を誇るMipox Edge Polisherを小型化。 2~8インチサイズのベベル・オリフラ部研磨加工に対応し、SiCやGaNなどの 難削材料も効率的に加工可能です。 ・低ダメージ＋高レート ・端面部の異物/膜除去に最適 ・容易なユーティリティ接続 ・多様なベベル形状の成形が可能 ・エッジ部の鏡面研磨加工が可能 ・独自研磨方式が目詰まりによる 加工レート低減を防止 ・ケミカルフリープロセス ・表面最外周部（トップエッジ） 研磨対応 加工前形状 加工後形状例 Mipox Edge Polisher TUNeDGE SFF-200TX 概略仕様 Detail Spec 対応ウェーハサイズ Φ2インチ～8インチ 研磨テープサイズ 幅76.2mm×100m巻き テープ送り速度 5～200mm/min 研磨ヘッド角度 -70°～＋90°※ウェーハサイズによる 電 源 三相 200～220V 50/60Hz 圧 空 0.5ｚMPa以上 真 空 -0.7ｋPa以上 水 圧 0.15MPa以上 寸法 W932.5×D1380×H1721 粗研磨用 仕上げ用 静電フィルム ダイヤモンドフィルム 装置仕様は変更される場合がございます。 Mipox株式会社 〒163-0023東京都新宿区西新宿6-11-3 Dタワー16階 Wework内 TEL：03-6911-2300 FAX：03-6911-2318

TUNeDGE SFF-200TXの主な特徴 メカニカルセンタリング機構を搭載 従来のSFFに新センタリング機構を搭載し、 新たに透明ワークの加工に対応。加工前後の ウェーハ直径寸法を自動測定する機能も有して おります。 Mipox研磨フィルムとの組み合わせでエッジ 形状の成形、鏡面加工、ウェーハ表面部の最外 周部加工まで幅広い加工が可能です。 オリフラ部付近の形状歪を大幅に低減（特許申請中） 過研磨 SFF-200TX 加工状態 従来の研磨機構 従来のエッジポリッシャーでは、ウェーハのオリフラ「肩部」に過研磨が発 生し易い状態でしたが、SFF-200TXでは、新規ソフトウェアを適用すること により、大幅な品質改善を達成しています。 結晶方位の影響を受け難い 独自の外周研磨機構（特許申請中） 化合物半導体用の基板等に多くみられる 「結晶方位によるウェーハ外周部の研磨特 性差異（ばらつき）」の現象に対しても、 SFFは、優れた加工安定性能を有していま す。ウェーハの同一外周上に、異なった研 磨量を自在に設定可能であり、均一なエッ ジ、面取り加工を実施できます。 Mipox株式会社 〒163-0023東京都新宿区西新宿6-11-3 Dタワー16階 Wework内 TEL：03-6911-2300 FAX：03-6911-2318