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ASK Technical Report vol.1 「半導体用ドライエッチング装置内シールド表面の金属汚染評価」

事例紹介

ASK Technical Repoet Vol.1 !ASK受託分析サービスの知識と経験を生かした技術事例をご紹介いたします。

株式会社アサカ理研『ASK受託分析サービス』では、
提案型・カスタマイズ型で各種分析装置・顕微鏡・解析装置を用いた受託分析サービスを提供し、御社のさまざまな問題を解決いたします!
※大手金属メーカーにて採用実績あり!

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◎最短納期3日から対応可能
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このカタログについて

ドキュメント名 ASK Technical Report vol.1 「半導体用ドライエッチング装置内シールド表面の金属汚染評価」
ドキュメント種別 事例紹介
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ASK Technical Report Report No.0001 半導体用ドライエッチング装置内シールド表面の金属汚染評価 半導体プロセスは微細化・高集積化が進み、それに伴い装置内に用いられる各種部品類も高い清浄度が要求 されます。エッチングプロセス等で用いられるシールド類は、一定時間使用後取り外され、専用の工程でク リーニングされ、再度エッチング装置へ取り付けられます。洗浄を終えたシールド表面の清浄度評価は、 エッチング工程の歩留まりや安定性に影響するため、重要な管理指標となります。 1.評価方法 大型のセラミックシールド表面に残留する金属成分をスポット溶出させ、溶出液を四重極ICP-MS(誘導結 合プラズマ質量分析計)にて測定可能な約70元素の定性・定量分析を実施し、シールド表面から溶出した金 属元素の組成の把握と表面金属汚染を面積密度で求めました。 2.前処理法、測定法 前処理法:セラミックシールド表面を表面溶出用の専用容器を用い て高純度酸溶液で溶出する。スポット繰り返すことにより、シール ド表面の付着物/溶射膜とシールド基体表面の差異を評価。 測定法:トリプル四重極 ICP-MSによる定性/定量分析。コリジョン ・リアクション技術とMS/MSモードの応用により、高い感度と低い バックグラウンドを実現。 図1.ICP-MSの外観 前処理・測定作業環境:クリーンルーム(ISOクラス6以下:米国連邦規格209E クラス1000以下) 3.結果 表1.スポットごとの元素濃度一覧 1 元素 No.1-1st No.1-2nd No.2-1st No.2-2nd No.3-1st No.3-2nd Al 9.E+16 4.E+16 5.E+17 2.E+17 2.E+17 7.E+16 2 As <3.E+12 <3.E+12 <3.E+12 <3.E+12 <3.E+12 <3.E+12 3 B 3.E+15 3.E+15 2.E+15 1.E+15 1.E+15 7.E+14 Ca 5.E+13 2.E+13 <1.E+13 6.E+13 <1.E+13 6.E+13 Cd <2.E+11 <2.E+11 <2.E+11 <2.E+11 <2.E+11 <2.E+11 Co <2.E+12 <2.E+12 <2.E+12 <2.E+12 <2.E+12 <2.E+12 Cr 2.E+13 <7.E+12 <7.E+12 2.E+13 8.E+12 5.E+13 Cu 4.E+13 <3.E+13 <3.E+13 <3.E+13 <3.E+13 <3.E+13 Fe 8.E+13 2.E+13 7.E+13 9.E+13 3.E+13 2.E+14 スポット溶出イメージ Hg <9.E+11 <9.E+11 <9.E+11 <9.E+11 <9.E+11 <9.E+11 セラミックシールドの K <1.E+13 <1.E+13 <1.E+13 <1.E+13 <1.E+13 3.E+13 Mg 1.E+14 9.E+13 5.E+14 3.E+14 1.E+14 2.E+14 スポット溶出イメージ Mn 1.E+12 <9.E+11 1.E+12 2.E+12 9.E+11 4.E+12 Na <2.E+14 <2.E+14 <2.E+14 <2.E+14 <2.E+14 <2.E+14 Ni 2.E+13 1.E+13 6.E+13 4.E+13 2.E+13 3.E+13 Pb 2.E+11 <1.E+11 <1.E+11 <1.E+11 <1.E+11 <1.E+11 スポットサンプリングにより、シールドのデポジットの付着状況や金属組 成、また表面と基体との元素組成の有無や汚染状況が把握できます。 単位は、表面金属汚染分析に用いる面積密度で表記。単位:atoms/cm2 株式会社アサカ理研 福島県郡山市田村町金屋字マセロ47番地 Tel:024-944-4744 http://www.asaka.co.jp/